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龙图腾网恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体集成器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584630B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510131851.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体集成器件是由陈维邦设计研发完成，并于2025-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体集成器件在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体集成器件，该半导体结构的制造方法包括：提供基底；基底包括器件区和非器件区；其中，器件区内和非器件区内分别形成有相对应的离子掺杂区；形成于器件区内的离子掺杂区和形成于非器件区内的离子掺杂区在同一工序中基于同一掩膜形成；在器件区内的离子掺杂区表面形成金属栅极结构；在金属栅极结构远离基底的一侧形成栅极接触结构，并对应非器件区形成电阻接触结构；其中，栅极接触结构与金属栅极结构远离基底的表面接触；电阻接触结构与非器件区内的离子掺杂区直接接触。通过本申请实施例，减少了为制造电阻增加的额外的工艺步骤和掩膜，简化了系统级芯片中电阻的制造工艺。

本发明授权半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体集成器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底；所述基底包括器件区和非器件区；其中，所述器件区内和所述非器件区内分别形成有相对应的离子掺杂区；形成于所述器件区内的离子掺杂区和形成于所述非器件区内的离子掺杂区在同一工序中基于同一掩膜形成；在所述器件区内的离子掺杂区表面形成金属栅极结构；其中，在所述器件区内的离子掺杂区表面形成金属栅极结构的步骤，包括：在所述器件区表面和所述非器件区表面分别形成相对应的伪栅极结构；其中，形成于所述器件区表面的伪栅极结构和形成于所述非器件区表面的伪栅极结构在同一工序中基于同一掩膜形成；所述伪栅极结构包括伪栅极、栅极介电层和栅极侧墙；在所述非器件区表面的伪栅极表面形成伪栅极硅化层；去除所述器件区表面的伪栅极，形成金属栅极；其中，在去除所述器件区表面的伪栅极的过程中，所述伪栅极硅化层被去除，所述非器件区表面的伪栅极在所述伪栅极硅化层的阻挡作用下保留；在所述金属栅极结构远离所述基底的一侧形成栅极接触结构，并对应所述非器件区形成电阻接触结构；其中，所述栅极接触结构与所述金属栅极结构远离所述基底的表面接触；所述电阻接触结构与所述非器件区内的离子掺杂区直接接触。

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