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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利半导体封装结构的热阻测试方法及其装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119575143B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510122662.4，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权半导体封装结构的热阻测试方法及其装置是由魏晓光;唐新灵;林仲康;郝炜;代安琪;高佳敏;王亮;杜玉杰;于克凡;王靖飞设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装结构的热阻测试方法及其装置在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体封装结构的热阻测试方法及其装置。该热阻测试方法包括：向芯片通入测量电流，获取芯片两侧的初始电压降，以及封装外壳的正面初始壳温和背面初始壳温；提供目标环境温度，并采集封装外壳的正面目标壳温和背面目标壳温以及芯片两侧的目标电压降；基于初始电压降、正面初始壳温、背面初始壳温、目标电压降、正面目标壳温及背面目标壳温确定半导体封装结构的串并联比例系数。该热阻测试方法还包括：获取流过芯片的目标热流；基于正面目标壳温、背面目标壳温和目标热流确定半导体封装结构的串联热阻；根据所述串联热阻和所述串并联比例系数确定半导体封装结构的并联热阻。

本发明授权半导体封装结构的热阻测试方法及其装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构的热阻测试方法，其特征在于，所述半导体封装结构包括芯片以及包覆所述芯片的封装外壳；所述热阻测试方法包括：向所述芯片通入测量电流，获取所述芯片两侧的初始电压降，以及所述封装外壳的正面初始壳温和背面初始壳温；提供目标环境温度，并采集所述封装外壳的正面目标壳温和背面目标壳温以及所述芯片两侧的目标电压降；基于所述初始电压降、所述正面初始壳温、所述背面初始壳温、所述目标电压降、所述正面目标壳温及所述背面目标壳温确定所述芯片在所述目标环境温度下的结温计算公式；根据所述芯片在所述目标环境温度下的结温计算公式确定所述半导体封装结构的串并联比例系数，包括：联立所述目标电压降与所述初始电压降之差的方程组如下： ；其中，VAK0为所述初始电压降，Th0为所述正面初始壳温，Tc0为所述背面初始壳温，k为电压随温度变化的比例系数，VAK1为第一目标电压降，VAK2为第二目标电压降，Th1为正面第一目标壳温，Tc1为背面第一目标壳温，Th2为正面第二目标壳温，Tc2为背面第二目标壳温，β为所述半导体封装结构的串并联比例系数；根据所述初始电压降、所述正面初始壳温、所述背面初始壳温、所述目标电压降、所述正面目标壳温及所述背面目标壳温的测量数据求解所述方程组，确定出所述比例系数和所述串并联比例系数；获取流过所述芯片的目标热流；基于所述正面目标壳温、所述背面目标壳温和所述目标热流确定所述半导体封装结构的串联热阻；根据所述串联热阻和所述串并联比例系数确定所述半导体封装结构的并联热阻。

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