恭喜安徽长飞先进半导体股份有限公司谢柳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网恭喜安徽长飞先进半导体股份有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119545819B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510101609.6,技术领域涉及:H10D8/60;该发明授权半导体器件及其制备方法是由谢柳;史田超设计研发完成,并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种半导体器件及其制备方法,属于半导体技术领域。该半导体器件包括:半导体本体,第一电极,第二电极,以及第一铁电材料层,和或,第二铁电材料层。第一电极设置于半导体本体的第一表面,第二电极设置于半导体本体的第二表面,第一铁电材料层设置于第一电极远离半导体本体的一侧,和或,第二铁电材料层设置于第二电极远离半导体本体的一侧。本申请公开的技术方案优化了器件结构,从而提高器件的开关速度并且降低功耗。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,其特征在于,包括:半导体本体,包括相对设置的第一表面和第二表面,所述半导体本体的材料包括碳化硅;第一电极,设置在所述半导体本体的第一表面;第二电极,设置在所述半导体本体的第二表面;第一铁电材料层,设置在所述第一电极远离所述半导体本体的一侧,和或,第二铁电材料层,设置在所述第二电极远离所述半导体本体的一侧;至少一个导通孔,位于所述第一铁电材料层中,所述导通孔中设置有与所述第一电极电连接的导电材料,和或,位于所述第二铁电材料层中,所述导通孔中设置有与所述第二电极电连接的导电材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人安徽长飞先进半导体股份有限公司,其通讯地址为:241002 安徽省芜湖市弋江区马塘街道利民东路82号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。