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龙图腾网恭喜武创芯研科技(武汉)有限公司申请的专利芯片封装有限元模型解析方法、装置及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119475935B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510068008.X，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权芯片封装有限元模型解析方法、装置及设备是由张适;杨天七;秦松设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片封装有限元模型解析方法、装置及设备在说明书摘要公布了：本发明涉及有限元分析技术领域，公开了一种芯片封装有限元模型解析方法、装置及设备。该方法包括读取芯片封装有限元模型，并基于芯片封装结构特点将芯片封装有限元模型划分为多个子任务；初始化并行计算环境并创建多个线程；根据子任务的几何尺寸、材料属性差异及载荷条件进行资源分配；根据资源分配结果基于线程并行处理子任务，得到模型解析结果。本发明中通过并行计算对有限元模型进行解析，缩短了仿真计算时间，尤其在处理大规模芯片封装模型时性能提升尤为显著。通过优化的任务划分和负载均衡策略，从而使计算资源得到充分利用，减少了线程空闲等待的情况，确保各计算单元均匀分配任务，提升整体并行计算效率。

本发明授权芯片封装有限元模型解析方法、装置及设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装有限元模型解析方法，其特征在于，包括：读取芯片封装有限元模型，并基于芯片封装结构特点将所述芯片封装有限元模型划分为多个子任务；初始化并行计算环境并创建多个线程；根据所述子任务的几何尺寸、材料属性差异以及载荷条件进行资源分配；根据资源分配结果基于所述线程并行处理所述子任务，得到模型解析结果；其中，初步划分为多个子任务包括：基于芯片封装有限元模型的芯片封装数据的几何区域和应力集中的关键节点识别并分离芯片封装有限元模型，得到多个子区域；基于芯片封装数据的材料属性以及相邻区域材料差异性识别并分离芯片封装有限元模型，得到多个子区域；基于芯片封装数据的载荷条件以及载荷分布特点调整所述子区域，得到多个子任务；在初步划分之后，在几何区域的划分优化中细化应力集中的关键节点；在载荷条件的划分优化中，根据载荷分布不均匀的特点进行子区域调整。

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