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龙图腾网恭喜浙江华辰芯光技术有限公司申请的专利一种光子晶体边发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119447990B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510033073.9，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权一种光子晶体边发射激光器及其制备方法是由向磊;李明欣;魏明设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光子晶体边发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种光子晶体边发射激光器及其制备方法，制备方法包括：提供激光器基体，激光器基体从下至上依次包括：衬底、N型包覆层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型包覆层、P型盖层；激光器基体在竖直方向上包括矩形的第三目标区域和第三目标区域长度方向两端的第二目标区域，以及位于第三目标区域和第二目标区侧部的第一目标区域；在第一目标区域形成离子注入区；在第一目标区域和第二目标区域形成光子晶体；第一目标区域形成模式过滤区，第二目标区域形成电流限制区，第三目标区域形成电流注入区。与相关技术相比，本发明可以增强激光器在横向上的散热特性，提高激光器的电学性能和可靠性，同时简化工艺流程。

本发明授权一种光子晶体边发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光子晶体边发射激光器的制备方法，其特征在于，包括：提供激光器基体，所述激光器基体从下至上依次包括：衬底、N型包覆层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型包覆层、P型盖层；所述激光器基体在竖直方向上包括矩形的第三目标区域和所述第三目标区域长度方向两端的第二目标区域，以及位于所述第三目标区域和所述第二目标区侧部的第一目标区域；对所述第一目标区域的所述P型盖层一侧进行离子注入工艺，在所述第一目标区域形成离子注入区；所述离子注入区的深度大于所述P型盖层的厚度；在所述第一目标区域和所述第二目标区域形成光子晶体；所述第一目标区域形成模式过滤区，所述第二目标区域形成电流限制区，所述第三目标区域形成电流注入区；其中，所述在所述第一目标区域和所述第二目标区域形成光子晶体的步骤包括：在所述第一目标区域形成第一凹槽，在所述第二目标区域形成第二凹槽；所述第一凹槽和所述第二凹槽贯穿所述P型盖层，并暴露所述P型包覆层的表面；在所述第一凹槽暴露的所述P型包覆层形成多个第三开孔；所述第三开孔的宽度小于所述第一凹槽的宽度；所述第三开孔深入部分所述P型包覆层；将所述第一凹槽、所述第二凹槽和所述第三开孔向下刻蚀第二距离，使所述第一凹槽和第二凹槽深入部分所述P型包覆层，所述第三开孔深入部分所述P型波导层；所述第一凹槽和第二凹槽的深度小于所述离子注入区的深度；在所述P型盖层一侧形成绝缘层，所述绝缘层填充所述第一凹槽和所述第二凹槽，形成第一绝缘槽和第二绝缘槽；所述绝缘层还深入所述第三开孔，包覆所述第三开孔的侧壁，并在所述第三开孔形成空气柱；所述第一绝缘槽和所述空气柱为第一光子晶体；所述第二绝缘槽形成第二光子晶体。

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