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龙图腾网恭喜浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体LDD扩展宽度测试结构及其形成方法、计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119381387B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411941042.5，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体LDD扩展宽度测试结构及其形成方法、计算方法是由王耀庭;许凯;高大为;吴永玉设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体LDD扩展宽度测试结构及其形成方法、计算方法在说明书摘要公布了：一种半导体LDD扩展宽度测试结构及其形成方法、计算方法，包括：确定测试结构的宽度，所述测试结构的宽度基于所述第一阱的宽度和或第一LDD的宽度确定；测试所述第一阱得到第一阱的实测电阻；测试所述第一LDD得到第一LDD的实测电阻；测试所述半导体沟道得到半导体沟道的实测电阻；根据所述第一阱的实测电阻、所述第一LDD的实测电阻、所述半导体沟道的实测电阻以及所述测试结构的宽度得出所述半导体沟道的实际宽度。本发明实施例有利于获取半导体LDD扩展宽度。

本发明授权半导体LDD扩展宽度测试结构及其形成方法、计算方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体LDD扩展宽度测试结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区域，与第一区域相邻的第二区域，以及与第二区域相邻的第三区域；对所述基底进行掺杂处理，以形成位于第一区域的第一阱，第二区域的第二阱以及第三区域的第三阱；在所述第二阱内掺杂形成第一LDD，以及在沿平行于载流子流动方向，在所述第三阱内掺杂形成成对的第二LDD，其中，每对第二LDD之间具有间隔，且每对第二LDD中远离另一个第二LDD的一侧与所述第三阱的边缘齐平；形成栅极层，所述栅极层覆盖成对的第二LDD及其之间的第三阱；在所述第一区域形成与所述第一阱耦接的阱区测试端子；在所述第二区域形成与所述第一LDD耦接的LDD测试端子；在所述第三区域形成综合测试端子，所述综合测试端子与所述第二LDD耦接，且与位于成对的第二LDD之间的第三阱耦接；其中，所述阱区测试端子、LDD测试端子和综合测试端子是在同一工艺步骤中形成的；在形成所述阱区测试端子、LDD测试端子以及综合测试端子前，以及，在形成所述栅极层后，所述形成方法还包括：形成覆盖所述基底上的介质层；刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成位于第一阱上的穿通的阱区过孔、形成位于第一LDD上的穿通的LDD过孔、以及形成位于第二LDD上的穿通的综合过孔；在所述阱区过孔、LDD过孔以及综合过孔内填充连接层材料，以形成连接插塞。

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