恭喜山东大学徐明升获国家专利权
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龙图腾网恭喜山东大学申请的专利一种通过分步氧化改善SiC栅氧界面质量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297081B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411782969.9，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种通过分步氧化改善SiC栅氧界面质量的方法是由徐明升;陈晓华;韩吉胜;徐现刚设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种通过分步氧化改善SiC栅氧界面质量的方法在说明书摘要公布了：本发明属于微电子和半导体技术领域，提供了一种通过分步氧化改善SiC栅氧界面质量的方法，包括：在碳化硅外延片上沉积α‑Si，得到α‑SiSiC复合结构；将所述α‑SiSiC复合结构在不同的温度下进行两次干氧氧化，退火，即得。本发明采用分步氧化α‑SiSiC体系，减少了SiCSiO2界面处碳团簇的含量，可以获得较低界面态密度、低近界面陷阱密度、低氧化层有效固定电荷密度的高质量栅氧。同时低温下α‑Si转换成SiO2，降低了栅介质的粗糙度，保证了栅氧的击穿特性。本发明解决了SiCMOSFET器件栅氧制备过程中存在的SiCSiO2界面陷阱密度高、可靠性差等问题。
本发明授权一种通过分步氧化改善SiC栅氧界面质量的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过分步氧化改善SiC栅氧界面质量的方法，其特征在于，包括：在碳化硅外延片上沉积α-Si，得到α-SiSiC复合结构；将所述α-SiSiC复合结构在不同的温度下进行两次干氧氧化，退火，即得；其中，一次干氧氧化的温度为1000℃-1050℃；二次干氧氧化的温度为1250℃-1500℃；所述退火采用NO退火，具体条件包括：温度为1250℃-1500℃，时间为0.5-2小时，NO通入流量为100sccm-150sccm；所述一次干氧氧化的O2通入流量为150sccm-300sccm，时间为40-70min；所述二次干氧氧化的O2通入流量为150sccm-300sccm，时间为3min-10min。
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