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龙图腾网恭喜哈工大苏州研究院;哈尔滨工业大学申请的专利一种W/Cu复合材料的工业化制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119410942B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411558368.X，技术领域涉及：C22C1/04；该发明授权一种W/Cu复合材料的工业化制备方法及其应用是由毕梦雪;孙徕博;黄陆军;耿林;孙枫泊;鲁伟航;姚彦设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种W/Cu复合材料的工业化制备方法及其应用在说明书摘要公布了：一种WCu复合材料的工业化制备方法及其应用。本发明属于热核聚变用钨铜复合材料领域。本发明的目的是为了解决现有钨铜复合材料的制备方法无法兼顾生产成本和产物性能的技术问题。本发明以W粉为基材，先在其表面通过磁控溅射共沉积WCu复合过渡层，再通过磁控溅射在WCu复合过渡层表面沉积Cu膜，该方法解决传统混粉不均匀和颗粒团聚现象，能使W、Cu材料成分分布相对均匀。除此之外，更重要的是，本发明通过调控W粉表面膜层厚度以及与之匹配的热等静压工艺参数，在不增加制备工序，不引入第三组份填料的基础上获得了兼具高致密度和热导率的WCu复合材料，为热核聚变等离子体第一壁用复合材料的工业化生产提供了可能。

本发明授权一种W/Cu复合材料的工业化制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种WCu复合材料的工业化制备方法，其特征在于，所述方法：S1：分别以Cu靶和W靶为靶材，通过磁控溅射在W粉表面共沉积WCu复合过渡层，关闭W靶，继续在WCu复合过渡层表面沉积Cu膜；磁控溅射参数：工作气压为0.2~0.8Pa，温度为200~300℃，偏压为-50V~-150V，Cu靶功率为50~150W，W靶功率为2~4kW，共沉积时间为1~12h，关闭W靶后继续沉积6h~20h；所得WCu复合过渡层厚度为50~600nm，所得Cu膜厚度为0.3~1μm；S2：通过热等静压对其进行烧结，得到WCu复合材料，其中当S1中WCu复合过渡层与Cu膜厚度之和≤1μm时，烧结温度为800~1000℃，热等静压压强为80~100MPa，保温时间1~3h；WCu复合过渡层与Cu膜厚度之和＞1μm时，烧结温度为1100~1200℃，热等静压压强为80~100MPa，保温时间1~3h。

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