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恭喜北京士模微电子有限责任公司富浩宇获国家专利权

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龙图腾网恭喜北京士模微电子有限责任公司申请的专利一种轨到轨输入偏置电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119254163B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411303446.1,技术领域涉及:H03F3/45;该发明授权一种轨到轨输入偏置电路是由富浩宇;高晨设计研发完成,并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

一种轨到轨输入偏置电路在说明书摘要公布了:本申请涉及一种轨到轨输入偏置电路,用于为轨到轨输入运算放大器的输入级提供偏置电压;该电路包括检测模块和偏置模块;检测模块用于根据差分输入幅度生成选择控制信号并输出至偏置模块;差分输入幅度为轨到轨输入运算放大器的外部输入信号与输出信号的电压差值;偏置模块用于响应于选择控制信号控制外部输入信号或共模输入信号输入并将生成的偏置电压输送至轨到轨输入运算放大器的输入级;其中,差分输入幅度大于检测阈值时,偏置模块输入共模输入信号;差分输入幅度小于或等于检测阈值时,偏置模块输入外部输入信号;本申请的轨到轨输入偏置电路可以避免输出端的失调纹波对偏置电流产生影响,提高轨到轨输入运算放大器的共模抑制比。

本发明授权一种轨到轨输入偏置电路在权利要求书中公布了:1.一种轨到轨输入偏置电路,其特征在于,用于为轨到轨输入运算放大器的输入级提供偏置电压;所述轨到轨输入偏置电路包括检测模块和偏置模块;所述检测模块,用于根据差分输入幅度生成选择控制信号并输出至所述偏置模块;所述差分输入幅度为所述轨到轨输入运算放大器的外部输入信号与输出信号的电压差值;所述偏置模块,用于响应于所述选择控制信号控制所述外部输入信号或共模输入信号输入,并将根据输入的所述外部输入信号或所述共模输入信号生成的所述偏置电压输送至所述轨到轨输入运算放大器的输入级;所述共模输入信号为所述外部输入信号与所述输出信号之和除以2;其中,所述差分输入幅度大于检测阈值时,所述偏置模块响应于所述选择控制信号输入所述共模输入信号;所述差分输入幅度小于或等于所述检测阈值时,所述偏置模块响应于所述选择控制信号输入所述外部输入信号,所述偏置模块包括多路选择器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管;所述多路选择器的控制端输入所述选择控制信号;所述多路选择器的第一输入端输入所述共模输入信号;所述多路选择器的第二输入端输入所述外部输入信号;所述多路选择器的输出端与所述第二NMOS管的栅极连接,所述多路选择器响应于接收到的选择控制信号控制所述多路选择器的第一输入端的所述共模输入信号或第二输入端的所述外部输入信号通过输出端输入所述第二NMOS管的栅极;所述第一NMOS管的源极、所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极连接;所述第一NMOS管的漏极、所述第一PMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极连接;所述第二NMOS管的漏极、所述第二PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极连接;所述第三PMOS管的漏极、所述第四NMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极连接;所述第一NMOS管的栅极接PN切换阈值电压;所述第三NMOS管的栅极接第一电压;所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极接所述轨到轨输入运算放大器的正电源电压;所述第三NMOS管的源极和所述第四NMOS管的源极接所述轨到轨输入运算放大器的负电源电压;所述第一PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极分别用于输出第一偏置电压、第二偏置电压,所述检测模块包括第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管和或门;所述第十NMOS管的栅极输入所述外部输入信号;所述第十一NMOS管的栅极输入所述输出信号;所述第十NMOS管的源极、所述第十一NMOS管的源极和所述第七NMOS管的漏极连接;所述第十NMOS管的漏极、所述第六PMOS管的漏极、所述第六PMOS管的栅极和所述第八PMOS管的栅极连接;所述第十一NMOS管的漏极、所述第七PMOS管的漏极、所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极连接;所述第七NMOS管的栅极、所述第八NMOS管的栅极和所述第九NMOS管的栅极连接并接第二电压;所述第六PMOS管的源极、所述第七PMOS管的源极、所述第八PMOS管的源极和所述第九PMOS管的源极接所述轨到轨输入运算放大器的正电源电压;所述第七NMOS管的源极、所述第八NMOS管的源极和所述第九NMOS管的源极接所述轨到轨输入运算放大器的负电源电压;所述第八NMOS管的漏极、所述第八PMOS管的漏极和所述或门的第一输入端连接;所述第九NMOS管的漏极、所述第九PMOS管的漏极和所述或门的第二输入端连接;所述或门的输出端输出所述选择控制信号。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京士模微电子有限责任公司,其通讯地址为:100083 北京市海淀区学清路10号院1号楼9层101;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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