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龙图腾网恭喜哈尔滨工业大学申请的专利一种减少重力影响生长低光学吸收高均匀性碲铟铅单晶的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119121407B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411254059.3，技术领域涉及：C30B29/46；该发明授权一种减少重力影响生长低光学吸收高均匀性碲铟铅单晶的方法是由雷作涛;孔祥然;程世超;冷宏伟;刘涛;朱崇强;杨春晖设计研发完成，并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减少重力影响生长低光学吸收高均匀性碲铟铅单晶的方法在说明书摘要公布了：一种减少重力影响生长低光学吸收高均匀性碲铟铅单晶的方法，它涉及碲铟铅单晶的生长方法。它是要解决现有的PIT晶体生长方法存在晶体开裂严重、光学吸收强、晶体内部元素分布不均匀的问题。本方法：将Pb源、In源和Te源和额外的In2Te3置于圆筒状坩埚中，再向石英管中加入单质Te后熔融密封；将石英管放入倾斜单温区管式炉中反应，得到PIT多晶，再将多晶料装入带有籽晶阱的热解氮化硼坩埚内并放入石英管中真空密封；在多温区水平晶体生长炉中进行单晶生长，得到PIT单晶体。切成的6mm厚双面抛光晶片在2～3μm波段内透过率接近60％，在2.09μm处光学吸收小于0.11cm‑1，可用于工业、医疗和能源领域。

本发明授权一种减少重力影响生长低光学吸收高均匀性碲铟铅单晶的方法在权利要求书中公布了：1.一种减少重力影响生长低光学吸收高均匀性碲铟铅单晶的方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：一、在惰性气氛的手套箱中，按照Pb:In:Te的化学计量比为1:6:10称取Pb源、In源和Te源，再按Pb源、In源和Te源总质量的1％～10％称量额外的In2Te3；二、将Pb源、In源、Te源和额外的In2Te3置于圆筒状坩埚中，再将圆筒状坩埚置于石英管中，再向石英管中加入0.01～10.00g单质Te，利用分子泵将石英管抽至真空状态后利用氢氧火焰将石英管熔融密封；三、加热进行固相反应：将密封后的石英管放入倾斜单温区管式炉中，倾斜角度为0.1°～30°，然后以5～50℃h的速率升温至750～850℃并保持100小时，接着在600～900℃范围内进行温度振荡，进行1～10次温度振荡后，以10～50℃h冷却至室温，得到PIT多晶；四、将步骤三制备的PIT多晶料装入带有籽晶阱的热解氮化硼坩埚内，然后将热解氮化硼坩埚放入石英管进行真空密封；将石英管放入多温区水平晶体生长炉中并固定好，且热解氮化硼坩埚的籽晶阱位于低温区；对多温区水平晶体生长炉升温，使炉内高温区的温度以5～50℃h的速率快速升温至700～710℃，低温区的温度以5～50℃h的速率快速升温至660～670℃，梯度区温场为1～2℃cm，保温50～100h使多晶原料充分均匀化；然后以0.01～0.1℃h的速率降温，降温至高温区低于650℃以后，以20～50℃h速率降温至室温，得到PIT单晶体。

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