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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体封装系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110491869B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910342531.1，技术领域涉及：H01L25/16；该发明授权半导体封装系统是由权兴奎设计研发完成，并于2019-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装系统在说明书摘要公布了：提供了一种半导体封装系统，所述半导体封装系统包括基板、第一半导体封装件、第二半导体封装件、第一导热层、第一无源器件和热辐射结构。第一半导体封装件、第二半导体封装件和第一无源器件可以安装在基板的顶表面上。第一半导体封装件可以包括第一半导体芯片，第一半导体芯片包括多个逻辑电路。第一导热层可以位于第一半导体封装件上。热辐射结构可以位于第一导热层、第二半导体封装件和第一无源器件上。热辐射结构可以包括第一底表面和第二底表面，第一底表面与第一导热层物理接触，第二底表面所在的水平高度高于第一底表面的水平高度。第二底表面可以位于第二半导体封装件和或第一无源器件上。

本发明授权半导体封装系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装系统，所述半导体封装系统包括：基板；第一半导体封装件，所述第一半导体封装件安装在所述基板的顶表面上并且包括第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括多个逻辑电路；第一导热层，所述第一导热层位于所述第一半导体封装件上；第二半导体封装件，所述第二半导体封装件安装在所述基板的所述顶表面上；第二导热层，所述第二导热层位于所述第二半导体封装件上，第一无源器件，所述第一无源器件安装在所述基板的所述顶表面上；以及热辐射结构，所述热辐射结构位于所述第一导热层、所述第二导热层和所述第一无源器件上，所述热辐射结构包括第一底表面和第二底表面，所述第一底表面与所述第一导热层物理接触，所述第二底表面的水平高度高于所述第一底表面的水平高度，所述第二底表面位于所述第二导热层上，或位于所述第一无源器件上，或位于所述第二导热层和所述第一无源器件两者上，其中，所述第一底表面的水平高度和所述热辐射结构物理接触所述第二导热层的底表面的水平高度被设置，使得所述第一导热层的高度小于所述第二导热层的高度。

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