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龙图腾网恭喜华中科技大学申请的专利基于相变材料的显示器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118884763B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410960751.1，技术领域涉及：G02F1/17；该发明授权基于相变材料的显示器件是由童浩;谭青山;周启沛;缪向水设计研发完成，并于2024-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于相变材料的显示器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于相变材料的显示器件，该器件包括：宽带吸收腔体结构，包括有损相变层和金属层，所述有损相变层沉积在所述金属层上，所述有损相变层为有损相变材料，金属层由多层K值大于1的金属组成；窄带吸收腔体结构，位于所述宽带吸收腔体结构之下，所述窄带吸收腔体结构包括第一窄带吸收腔体结构和第二窄带吸收腔体结构，所述第一窄带吸收腔体结构位于第二窄带吸收腔体结构之上；所述第一窄带吸收腔体结构包括无损相变层和位于所述无损相变层两侧的金属层；所述第二窄带吸收腔体结构包括介质层和位于所述介质层两侧的金属层，所述无损相变层为无损相变材料。本发明实现透射和反射颜色相同、彩虹色现象弱和颜色可调，角度不敏感的特性。

本发明授权基于相变材料的显示器件在权利要求书中公布了：1.一种基于相变材料的显示器件，其特征在于，包括：宽带吸收腔体结构，包括有损相变层和金属层，所述有损相变层沉积在所述金属层上，所述有损相变层为K值在可见光区域大于1的有损相变材料，所述金属层为Ag和Cr的双层结构，所述金属层的K值在可见光区域大于1，所述金属层的厚度小于30nm，与所述有损相变材料在可见光区域共同构成一个吸收率大于预设阈值的宽带吸收体；窄带吸收腔体结构，位于所述宽带吸收腔体结构之下，所述窄带吸收腔体结构包括第一窄带吸收腔体结构和第二窄带吸收腔体结构，所述第一窄带吸收腔体结构位于第二窄带吸收腔体结构之上；所述第一窄带吸收腔体结构包括K值在可见光区域小于1的无损相变层和位于所述无损相变层两侧的金属层；所述第二窄带吸收腔体结构包括介质层和位于所述介质层两侧的金属层，所述无损相变层为无损相变材料；所述窄带吸收腔体结构中的金属层包括ITO、Ag、Au、Cr和W中的一种或多种K值在可见光部分大于1的金属材料；所述无损相变材料包括SbS和或SbSe合金，其中各原子的百分比可调。

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