恭喜深圳技术大学徐芳获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳技术大学申请的专利一种三氧化钼纳米片半导体的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116873980B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310479817.0，技术领域涉及：C01G39/02；该发明授权一种三氧化钼纳米片半导体的制备方法及其应用是由徐芳;李雯;王爱武;徐浩设计研发完成，并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三氧化钼纳米片半导体的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种三氧化钼纳米片半导体的制备方法及其应用。本申请制备方法包括，将α‑MoO3和硫粉加入有机溶剂中混匀，在120‑150℃反应20‑24h，离心取上层清液避光保存得MoO3QDs溶液，干燥，得硫化MoO3‑xQDs粉末；将MoO3‑xQDs粉末分散水中，制成浆料，涂覆于基板上，300‑350℃加热1‑2h，获得半导体三氧化钼纳米片；α‑MoO3和硫粉质量比为1:0.5‑2。本申请方法，在制备过程中添加硫粉进行掺杂，通过简单的调节硫粉量即可制备获得不同形貌和性能特性的三氧化钼纳米片，操作简单方便，具有更强的灵活性和实用性，为制备不同形貌和性能三氧化钼纳米片提供了一种新的方案和途径。
本发明授权一种三氧化钼纳米片半导体的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体三氧化钼纳米片的制备方法，其特征在于：包括将α-MoO3和硫粉加入有机溶剂中，混合均匀；然后，在120-150℃反应20-24h；反应完成后，离心取上层清液避光保存，即得到MoO3QDs溶液；将MoO3QDs溶液干燥，获得硫化的MoO3-xQDs粉末；将MoO3-xQDs粉末分散于水中，制成涂覆浆料；将涂覆浆料涂覆于基板上，在300-350℃加热1-2h，直至涂层不发生颜色变化，即获得半导体三氧化钼纳米片；其中，α-MoO3和硫粉的质量比为1:0.5-2，通过调节硫粉的用量获得不同形貌和性能特性的三氧化钼纳米片，所述有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮和水的体积比为1:1的混合溶剂。
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