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龙图腾网恭喜圆周率半导体(南通)有限公司申请的专利一种用于FCBGA的MLO的加工方法及其产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230552B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310036411.5，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种用于FCBGA的MLO的加工方法及其产品是由王海永;徐琛设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于FCBGA的MLO的加工方法及其产品在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于FCBGA的MLO的加工方法及其产品，包括采用如下步骤：第一次PTH、前处理、第一次压膜、第一次曝光、第一次显影、电镀铜、第一次去膜、第一次闪蚀、压ABF、镭射、除胶、第二次PTH、第二次压膜、第二次曝光、第二次显影、填孔电镀、电金、第二次去膜、第二次闪蚀，加工方法简单。本发明加工方法简单、合理，操作方便，通过将pad引出至外层，使线路至于次外层，以镭射的方式将外层与次外层连通，从而减少探针误扎线路的风险，增加探针与pad的接触面，从而提高测试精度与成功率。

本发明授权一种用于FCBGA的MLO的加工方法及其产品在权利要求书中公布了：1.一种用于FCBGA的MLO的加工方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、第一次PTH：先在基板1上进行PTH处理，附上一层1-3um的铜，作为第一导电层8；S2、第一次压膜、第一次曝光、第一次显影：在第一导电层8上通过压膜工艺形成第一干膜层9，然后再通过曝光、显影工艺，把需要镀铜的位置露出来；S3、电镀铜：在第一干膜层9上露出来的第一导电层8上再镀上一层16-20um的第一电镀铜层2，形成pad；S4、第一次去膜：去掉第一干膜层9；S5、第一次闪蚀：去掉第一导电层8；S6、压ABF：在基板1上压上一层ABF膜4；S7、镭射、除胶：通过镭射除去第一电镀铜层2接触面上的ABF膜4；S8、第二次PTH：在第一电镀铜层2上和ABF膜4上镀上一层第二导电层6；S9、第二次压膜：在第二导电层6上压上一层第二干膜层7；S10、第二次曝光、第二次显影：通过曝光、显影，把需要镀铜的第一电镀铜层2露出来；S11、填孔电镀：在第一电镀铜层2上镀上一层第二电镀铜层3；S12、电金：在第二电镀铜层3上镀上一层镀金层5；S13、第二次去膜：去除第二干膜层7；S14、第二次闪蚀：去掉第二导电层6。

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