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龙图腾网恭喜国家电网有限公司;国网重庆市电力公司北碚供电分公司申请的专利电力低压直流供电控制系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112671088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011590240.3，技术领域涉及：H02J9/06；该发明授权电力低压直流供电控制系统是由李超;徐溦;李傲岸;唐魁;刘人豪;谢林;陈爽设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本电力低压直流供电控制系统在说明书摘要公布了：本发明提供的一种电力低压直流供电控制系统，所述过压检测电路用于检测供电控制电路的输入电压且在输入电压过压时向第一控制电路输出控制信号；所述第一控制电路的控制输出端与三极管Q2的基极连接，第一控制电路的控制输入端连接于过压检测电路的控制输出端；所述第二控制电路的控制输出端连接于PMOS管M1的栅极，第二控制电路的第一检测输入端连接于第一控制电路的检测端，所述第二控制电路的第二检测输入端连接于三极管Q2的集电极，所述第二控制电路根据第一检测输入端和第二检测输入端的电压信号控制PMOS管M1的导通与关断，所述第二控制电路的检测输出端con1和检测输出端con2均与控制器的检测输入端连接；所述控制器通过无线传输电路与监控主机通信连接。

本发明授权电力低压直流供电控制系统在权利要求书中公布了：1.一种电力低压直流供电控制系统，其特征在于：包括控制器、无线传输电路、P型的三极管Q2、PMOS管M1、二极管D1、第一控制电路、过压检测电路以及第二控制电路；所述三极管Q2的发射极作为供电控制电路的输入端，三极管Q2的集电极连接于二极管D1的正极，二极管D1的负极作为供电控制电路的输出端；PMOS管M1的源极连接于三极管Q2的发射极，PMOS管M1的漏极连接于二极管D1的负极；所述过压检测电路用于检测供电控制电路的输入电压且在输入电压过压时向第一控制电路输出控制信号；所述第一控制电路的控制输出端与三极管Q2的基极连接，第一控制电路的控制输入端连接于过压检测电路的控制输出端；所述第二控制电路的控制输出端连接于PMOS管M1的栅极，第二控制电路的第一检测输入端连接于第一控制电路的检测端，所述第二控制电路的第二检测输入端连接于三极管Q2的集电极，所述第二控制电路根据第一检测输入端和第二检测输入端的电压信号控制PMOS管M1的导通与关断，所述第二控制电路的检测输出端con1和检测输出端con2均与控制器的检测输入端连接；所述控制器通过无线传输电路与监控主机通信连接；所述第一控制电路包括电阻R5、电阻R6、三极管Q4、三极管Q3以及稳压管ZD4；三极管Q3的集电极通过电阻R6与三极管Q2的发射极连接，三极管Q3的发射极接地，三极管Q3的集电极作为第一控制电路的控制输出端连接于三极管Q2的基极，三极管Q3的基极与稳压管ZD4的负极连接，稳压管ZD4的正极接地，三极管Q4的集电极通过电阻R6连接于三极管Q2的发射极，三极管Q4的集电极与三极管Q3的基极连接，三极管Q4的发射极接地，三极管Q4的基极作为第一控制电路的控制输入端连接于过压检测电路的控制输出端；所述过压检测电路包括稳压管ZD2、稳压管ZD3、电阻R2、电阻R3、电阻R4、三极管Q1以及电容C2；稳压管ZD2的负极连接于三极管Q2的发射极，稳压管ZD2的正极通过电阻R2接地，稳压管ZD2的正极通过电阻R3连接于三极管Q1的基极，三极管Q1的发射极通过电容C2接地，三极管Q1的集电极连接于三极管Q2的发射极，三极管Q1的发射极与电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端作为过压检测电路的控制输出端；所述第二控制电路包括稳压管ZD5、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、三极管Q5、三极管Q6、三极管Q7、三极管Q8、三极管Q9、三极管Q10、二极管D2、二极管D3、光耦G1、光耦G2以及电容C3；所述稳压管ZD5的负极连接于三极管Q2的集电极，稳压管ZD5的正极接地，电阻R14的一端作为第二控制电路的第二检测输入端连接于稳压管ZD5的负极，电阻R14的另一端通过电容C3接地，电阻R14和电容C4之间的公共连接点连接于三极管Q9的基极，三极管Q9的集电极连接直流电VCC，三极管Q9的发射极连接于三极管Q7的发射极，三极管Q7的集电极通过电阻R8接地，三极管Q8的集电极通过电阻R7连接直流电VCC，三极管Q8的集电极与三极管Q7的基极连接，三极管Q8的发射极接地，三极管Q8的基极与电阻R12的一端连接，电阻R12的另一端作为第二控制电路的第一检测输入端连接于三极管Q4的集电极，三极管Q7的集电极通过电阻R13连接于三极管Q6的基极，三极管Q6的发射极接地，三极管Q6的集电极连接于三极管Q5的基极，三极管Q5的发射极接地，三极管Q5的集电极通过电阻R11连接于电阻R10的一端，电阻R10的另一端连接于PMOS管M1的源极，电阻R10和电阻R11的公共连接点作为第二控制电路的控制输出端连接于PMOS管M1的栅极，三极管Q5的基极通过电阻R9连接于PMOS管M1的源极；三极管Q10的基极连接于三极管Q8的基极，三极管Q10的发射极通过电阻R15连接于PMOS管M1的源极，三极管Q10的集电极连接于电阻R13和三极管Q7的集电极之间的公共连接点；光耦G2的发光二极管的正极通过电阻R16连接于稳压管ZD5的负极，光耦G2的发光二极管的负极接地，光耦G2的光敏三极管的集电极与二极管D3的负极连接，二极管D3的正极作为第二控制电路的检测输出端con1，光耦G2的光敏三极管的发射极接地；光耦G1的发光二极管的正极连接于电阻R12和三极管Q8之间的公共连接点，光耦G1的发光二极管的负极接地，光耦G1的光敏三极管的集电极与二极管D3的负极连接，二极管D3的正极作为第二控制电路的检测输出端con2，光耦G1的光敏三极管的发射极接地；其中，三极管Q7和三极管Q10为P型三极管。

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