恭喜台湾积体电路制造股份有限公司康伯坚获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体元件以及量测半导体元件的温度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112687560B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010115346.1，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权半导体元件以及量测半导体元件的温度的方法是由康伯坚;周文昇;彭永州设计研发完成，并于2020-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件以及量测半导体元件的温度的方法在说明书摘要公布了：一种监控半导体元件温度的装置包括多个有源区域结构。一或多个有源元件包括多个有源区域结构的各部分。金属层形成在该多个有源区域结构上，并且通过一或多个虚拟栅极层与该一或多个有源元件分开。该金属层用以量测由于该金属层中的电阻变化而导致的所述多个有源区域结构的温度。
本发明授权半导体元件以及量测半导体元件的温度的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，其特征在于，包括：一第一虚拟栅极层；一第二虚拟栅极层；复数个有源区域结构，该些有源区域结构在该第一虚拟栅极层与该第二虚拟栅极层之间延伸；一第一金属层，该第一金属层在该些有源区域结构上；一第一有源元件，包括在该第一虚拟栅极层与该第一金属层之间的该些有源区域结构的多个部分，该第一有源元件包括：一漏极金属层，该漏极金属层在该些有源区域结构上并且在该第一虚拟栅极层与该第一金属层之间；以及一第一有源栅极层，该第一有源栅极层覆盖在该漏极金属层与该第一金属层之间的该些有源区域结构上；以及一第二有源元件，包括在该第一金属层与该第二虚拟栅极层之间的该些有源区域结构的多个部分，该第二有源元件包括：一源极金属层，该源极金属层在该第一金属层与该第二虚拟栅极层之间的该些有源区域结构上；以及一第二有源栅极层，该第二有源栅极层覆盖在该第一金属层与该源极金属层之间的该些有源区域结构上，其中该第一有源元件和该第二有源元件串联耦合，且该第一有源元件的该第一有源栅极层用以感测该些有源区域结构的一温度。
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