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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利光学临近修正、光掩模版制作及图形化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112241102B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910655742.0，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光学临近修正、光掩模版制作及图形化方法是由杜杳隽;李亮设计研发完成，并于2019-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本光学临近修正、光掩模版制作及图形化方法在说明书摘要公布了：一种光学临近修正、光掩模版制作及图形化方法，其中光学临近修正方法包括：提供目标图形；增大目标图形的边长，形成初始图形；对初始图形进行修正，获得对应的第一修正图形；形成辅助图形，辅助图形包围第一修正图形；将第一修正图形和辅助图形进行差异因子比较；如果差异因子的值大于预定阈值，增大所第一修正图形对应的目标图形的面积，形成修正目标图形；对第一修正图形进行过程修正，获取对应的过程修正图形；重复上述进行差异因子比较的步骤，直至修正满足的预定次数；对形成的第一修正图形和过程修正图形进行最终修正，获取修正图形。本发明保证光刻图形转移到晶圆上的准确性，保证形成的半导体器件能够达到设计的尺寸要求。

本发明授权光学临近修正、光掩模版制作及图形化方法在权利要求书中公布了：1.一种光学临近修正方法，其特征在于，包括：提供目标图形；增大所述目标图形的边长，形成初始图形；对所述初始图形进行修正，获得对应的第一修正图形；形成辅助图形，所述辅助图形包围所述第一修正图形；将所述第一修正图形和所述辅助图形进行差异因子比较，所述辅助图形的面积为S1，所述第一修正图形的面积为S0，所述差异因子=（S1-S0）S1*100%；如果差异因子小于或者等于预定阈值，所述第一修正图形不变；如果差异因子的值大于预定阈值，增大所述第一修正图形对应的所述目标图形的面积，形成修正目标图形，对所述第一修正图形进行过程修正，获取对应的过程修正图形，具体为：获取所述第一修正图形对应的第一曝光图形；比较所述第一曝光图形与所述修正目标图形在采样点的位置差异，获取所述第一曝光图形的边缘位置误差值；当获取所述第一曝光图形的边缘位置误差值与设定的边缘位置误差阈值的比值位于预定范围时，获取对应的过程修正图形；重复上述进行差异因子比较的步骤，直至修正满足的预定次数；对上述通过差异因子比较分别获得的第一修正图形和过程修正图形进行最终修正，获取修正图形，具体为：获得所述第一修正图形的第一曝光图形，获得所述过程修正图形的过程曝光图形；分别获得所述第一曝光图形的边缘位置误差和获得所述过程曝光图形的边缘位置误差；当所述第一曝光图形与所述过程曝光图形的边缘位置误差值小于或者等于设定的边缘位置误差阈值，获取所述修正图形。

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