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龙图腾网恭喜深圳市冠禹半导体有限公司申请的专利一种双输入GaN HEMT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789513B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510296505.5，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权一种双输入GaN HEMT器件及其制造方法是由李伟;高苗苗;段卫宁;梁为住设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双输入GaN HEMT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：涉及半导体器件技术领域，本发明公开一种双输入GaNHEMT器件及制造方法。包括在衬底上依次外延生长的反向器件区层、共用漏极层和正向器件区层，其中正向器件区层上设有包含表面源极与表面栅极的外输入结构，反向器件区层包含偏向衬底的内输入结构，即内藏源极与内藏栅极，并通过开设导通孔实现内外输入信号的有效传输。本发明达到双倍提高器件集成度、优化信号处理性能以及增强器件可靠性的效果。

本发明授权一种双输入GaN HEMT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双输入GaNHEMT器件，其特征在于，包括：反向器件区层，在衬底上外延生长；所述反向器件区层依序包括钝化层、高阻缓冲层、第一势垒层、第一沟道层及第一电流阻挡层，所述反向器件区层的高阻缓冲层采用梯度掺杂AlGaN材料，其中铝组分从衬底界面处的30%渐变至高阻缓冲层顶部的10%，以进一步降低晶格失配应力并提升二维电子气（2DEG）的迁移率；共用漏极层，在所述反向器件区层上外延生长；正向器件区层，在所述共用漏极层上外延生长，所述正向器件区层依序包括第二电流阻挡层、第二沟道层及第二势垒层；其中，所述正向器件区层上设置有外输入结构，所述外输入结构包含表面源极与表面栅极；所述反向器件区层包含偏向所述衬底的内输入结构，所述内输入结构包含半导体材质的内藏源极与内藏栅极，位于梯度掺杂AlGaN的所述高阻缓冲层中；其中，所述内藏源极与所述内藏栅极的纵向投影相对地错开所述表面源极与所述表面栅极的纵向空间，由所述内藏源极与所述内藏栅极开设往上贯穿所述共用漏极层与所述正向器件区层的上输入导通孔；由所述共用漏极层开设往下贯穿所述反向器件区层与所述衬底的下输出导通孔，所述下输出导通孔的纵向投影相对地错开所述内藏源极与所述内藏栅极的纵向空间。

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