买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜南京信息工程大学申请的专利一种N型横向器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789486B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510281431.8，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种N型横向器件及制备方法是由孙与飏;张加宏;邓钰冰;董凯珠;卢光林设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种N型横向器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种N型横向器件及制备方法，该器件在传统横向双扩散金属氧化物半导体基础上，增设另一组栅极与电流通路，通过下多晶硅栅与上多晶硅栅协同控制，形成两条并联的源漏电流通路；同时在N—硅层內嵌入一个浮置P型硅层，在相同击穿电压下，可以提高N—硅层的掺杂浓度，从而进一步降低器件的导通电阻。制备方法中利用Si‑SiO₂键合、离子注入、等离子刻蚀、原子层淀积及热氧化层生长等工艺方法制备器件，其制备工艺兼容标准CMOS工艺。在相同芯片面积下，本发明器件的电流密度提升至传统LDMOS的两倍以上；同时下层二氧化硅的设计，易于实现器件之间的完全隔离，提高器件的高温稳定性与抗辐照能力。

本发明授权一种N型横向器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种N型横向器件，其特征在于，在P型衬底（1）上设有下二氧化硅层（2），在下二氧化硅层（2）上刻蚀一个窗口并填充多晶硅形成下多晶硅栅（3）；在下二氧化硅层（2）和下多晶硅栅（3）上设有下栅氧化层（4），在下栅氧化层（4）上依次排列设有源极金属层（1102）、第二N+硅层（1002）、P—硅层（6）、N—硅层（5）、第一N+硅层（1001）和漏极金属层（1101），所述P—硅层（6）设于对应下多晶硅栅（3）之上的位置，在所述N—硅层（5）上设有场氧化层（7）；在P—硅层（6）、第一N+硅层（1001）和第二N+硅层（1002）的上表面，场氧化层（7）的上表面以及两侧，分别设有上栅氧化层（8）；在上栅氧化层（8）上、对应P—硅层（6）之上的位置设有上多晶硅栅（9）；所述上多晶硅栅（9）、下多晶硅栅（3）分别作为器件的上多晶硅栅极和下多晶硅栅极；当上下两个多晶硅栅极同时开启后，在P—硅层（6）上部与上栅氧化层（8）之间、对应上多晶硅栅极的位置形成上导电沟道，P—硅层（6）下部与下栅氧化层（4）之间、对应下多晶硅栅极的位置形成下导电沟道，对应形成源极与漏极之间的上下两条电流通路。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京信息工程大学，其通讯地址为：210032 江苏省南京市江北新区宁六路219号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。