恭喜珠海基石科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜珠海基石科技有限公司申请的专利抗反射组合物、抗反射膜、图案化工艺、图案化基底、半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119735984B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510254560.8，技术领域涉及：C09D133/02；该发明授权抗反射组合物、抗反射膜、图案化工艺、图案化基底、半导体器件及其制备方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗反射组合物、抗反射膜、图案化工艺、图案化基底、半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种抗反射组合物、抗反射膜、图案化工艺、图案化基底、半导体器件及其制备方法，本申请通过两种酸值不同的有机溶剂的适量配比，可以获得酸值较低的抗反射组合物，可降低其制备成本，减少白边现象，抑制驻波现象，提高其稳定性，有利于获得分辨率高、线宽粗糙度低的图案，应用在半导体器件的制备中，可提高半导体器件的综合性能。
本发明授权抗反射组合物、抗反射膜、图案化工艺、图案化基底、半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗反射组合物，其特征在于，所述抗反射组合物包括树脂、热致产酸剂、交联剂和有机溶剂；所述有机溶剂包括第一有机溶剂和第二有机溶剂，所述第一有机溶剂的酸值为0.002mgNaOHg-0.056mgNaOHg，所述第二有机溶剂的酸值小于0.002mgNaOHg，且大于或等于0.0005mgNaOHg；所述有机溶剂中，所述第一有机溶剂的质量百分比为10%-80%，所述第二有机溶剂的质量百分比为20%-90%；所述抗反射组合物的酸值为0.192mgNaOHg-0.44mgNaOHg。
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