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龙图腾网恭喜山东大学申请的专利一种高压平面栅金属-氧化物场效应晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119743980B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510251506.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种高压平面栅金属-氧化物场效应晶体管及其制造方法是由汉多科·林纳威赫;陈曦冉;崔鹏;韩吉胜;徐现刚设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压平面栅金属-氧化物场效应晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高压平面栅金属‑氧化物场效应晶体管及其制造方法，属于半导体器件领域，包括第一金属化层、第一半导体层和第二半导体层，在第二半导体层上形成第一半导体区和第二半导体区，在第二半导体区内形成第三半导体区，其上方设置有第四半导体区；在第二半导体区和第二半导体层上方依次设置栅极氧化层和多晶硅栅极，栅极氧化层与第四半导体区相邻无重叠；多晶硅栅极上方设置氧化物介质层，在第四半导体区、第二半导体区和第一半导体区上方形成欧姆接触区，欧姆接触区和氧化物介质层上方设置第二金属化层。本发明在减少器件的导通沟道长度的同时保持高阻断电压，减少栅极漏电流，削弱了氧化层隧穿效应，提高器件可靠性。

本发明授权一种高压平面栅金属-氧化物场效应晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高压平面栅金属-氧化物场效应晶体管的制造方法，其特征在于，高压平面栅金属-氧化物场效应晶体管从下至上依次包括第一金属化层、第一半导体层和第二半导体层，在第二半导体层上通过离子注入形成第一半导体区和第二半导体区，第一半导体区和第二半导体区相邻，在第二半导体区内形成第三半导体区，第三半导体区上方设置有第四半导体区，第四半导体区长度小于第三半导体区，并与第三半导体区连通；在第二半导体区和第二半导体层上方依次设置栅极氧化层和多晶硅栅极，栅极氧化层与第四半导体区相邻无重叠；多晶硅栅极上方设置氧化物介质层，在第四半导体区、第二半导体区和第一半导体区上方形成欧姆接触区，欧姆接触区和氧化物介质层上方设置第二金属化层；第一半导体层、第二半导体层、第三半导体区、第四半导体区为N型，第一半导体区、第二半导体区为P型；高压平面栅金属-氧化物场效应晶体管的制造方法，包括如下步骤：S1：制备由碳化硅制成的N型半导体衬底，形成第一半导体层，通过外延生长在第一半导体层的表面形成第二半导体层；S2：形成掩膜后将铝或硼离子的杂质离子注入到第二半导体层的上表面，从而形成第一半导体区；S3：形成掩模后将铝或硼离子的杂质离子注入到第二半导体层的上表面中，从而形成第二半导体区；S4：形成掩模后将高浓度的氮或磷离子的杂质离子注入到第二半导体区中，形成第三半导体区，第三半导体区的注入深度比第二半导体区更浅且长度更窄，第三半导体区的上表面距离第二半导体区上表面为0.3-0.5μm；S5：通过热氧化工艺形成栅极氧化层，在栅极氧化层之上沉积多晶硅形成多晶硅栅极，接下来通过等离子体刻蚀去除多余多晶硅至第二半导体层上表面；S6：利用自对准工艺将高浓度的氮或磷离子的杂质离子注入到第二半导体区中，形成第四半导体区，第四半导体区的长度小于第三半导体区的长度，且第四半导体区与第三半导体区上下相连；S7：沉积氧化物形成氧化物介质，通过干法刻蚀形成欧姆接触区，沉积一层金属形成欧姆接触区后形成第二金属化层，在第一半导体层底部形成第一金属化层。

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