恭喜南京大学余林蔚获国家专利权
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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利具有悬空纳米线结构的IGZO-FET器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698021B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510194397.0，技术领域涉及：H10D30/43；该发明授权具有悬空纳米线结构的IGZO-FET器件及制备方法是由余林蔚;翁乐;钱文涛;王军转设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有悬空纳米线结构的IGZO-FET器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微电子制造技术领域。本发明公开了一种具有悬空纳米线结构的IGZO‑FET器件，悬空纳米线结构表面由内而外依次沉积有栅介质层，IGZO沟道层及源、漏电极层，悬空电极及其链接的悬空纳米线构成CAAIGZO‑FET器件的栅电极，悬空电极设有开孔区域用以对由悬空电极链接悬空纳米线形成的栅电极施加栅极电压；或悬空纳米线结构表面由内而外依次沉积有缓冲层，IGZO沟道层，源、漏电极层，栅介质层及栅电极层构成GAAIGZO‑FET器件。本发明获得的高驱动电流和低的亚阈值摆幅，有效提升了高性能IGZO晶体管的集成密度，适用于高清显示和高密度集成电路。
本发明授权具有悬空纳米线结构的IGZO-FET器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种悬空纳米线结构，包括设置于衬底上的基底层，其特征在于，还包括垂直于所述基底层平行间隔堆叠的纳米线，所述纳米线的两端分别链接有悬空电极，所述平行间隔堆叠的纳米线中间部分与所述基底层之间存在间隙；所述基底层为氧化硅与氮化硅的交替叠层结构，所述平行间隔堆叠的纳米线生长于交替叠层结构的氮化硅引导层；所述氧化硅被刻蚀后，所述交替叠层结构与所述平行间隔堆叠的纳米线之间形成所述间隙，两端悬空电极之间的纳米线构成平行堆叠的悬空纳米线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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