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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698053B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510193451.X，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体器件的制造方法是由庄鹏程;宋富冉;周儒领设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，于所述衬底内的待处理区域形成致密阻挡层；于所述致密阻挡层上的所述衬底内形成第一栅极氧化层，且所述第一栅极氧化层的底部拐角区域延伸至所述致密阻挡层内，并使所述致密阻挡层的顶部拐角区域圆滑；去除部分所述衬底，使所述第一栅极氧化层暴露；于所述第一栅极氧化层上形成第二栅极氧化层，所述第二栅极氧化层至少延伸覆盖所述第一栅极氧化层两侧的所述衬底。本申请通过于衬底内形成致密阻挡层，阻止了后续注入的氧原子的过度扩散；通过形成底部拐角区域延伸至致密阻挡层内的第一栅极氧化层，并使所述致密阻挡层的顶部拐角区域圆滑，有利于分散电场，减小了半导体器件的漏电流。

本发明授权半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，于所述衬底内的待处理区域形成致密阻挡层；于所述致密阻挡层上的所述衬底内形成第一栅极氧化层，且所述第一栅极氧化层的底部拐角区域延伸至所述致密阻挡层内，并使所述致密阻挡层的顶部拐角区域圆滑；去除部分所述衬底，使所述第一栅极氧化层暴露；于所述第一栅极氧化层上形成第二栅极氧化层，所述第二栅极氧化层至少延伸覆盖所述第一栅极氧化层两侧的所述衬底；其中，于所述致密阻挡层上的所述衬底内形成第一栅极氧化层的过程包括：采用第一离子注入工艺于所述待处理区域内的所述衬底内注入氧原子，以于所述致密阻挡层上形成氧原子注入区；采用第二离子注入工艺于所述氧原子注入区的底部拐角区域再次注入氧原子，使所述氧原子注入区的底部拐角区域形成氧原子富集区，以形成包括所述氧原子注入区和所述氧原子富集区的所述第一栅极氧化层。

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