恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司周欢获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653781B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510170721.5，技术领域涉及：H10D1/47；该发明授权半导体器件及其制造方法是由周欢;宋富冉;周儒领设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有掩膜层，所述掩膜层暴露所述衬底内需要形成高阻结构的区域；采用离子注入工艺于所述区域内注入离子；去除所述掩膜层并进行退火工艺，于所述区域内形成绝缘埋层，并于所述绝缘埋层上形成结晶层，以形成包括所述绝缘埋层和所述结晶层的高阻结构。半导体器件包括衬底和高阻结构，所述高阻结构包括位于所述衬底内的绝缘埋层和位于所述绝缘埋层上的结晶层。本申请通过于衬底内形成高阻结构，提升了高阻结构的阻值统一性，有助于减小后续形成的层间介质层的厚度，降低了半导体器件的寄生电容和器件功耗。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有掩膜层，所述掩膜层暴露所述衬底内需要形成高阻结构的区域；采用离子注入工艺于所述区域内注入离子，通过调整离子注入工艺的离子注入条件实现对于所述高阻结构的阻值调控；去除所述掩膜层并进行退火工艺，于所述区域内形成绝缘埋层，并于所述绝缘埋层上形成结晶层，以形成包括所述绝缘埋层和所述结晶层的高阻结构；于所述高阻结构两侧的所述衬底上形成栅极结构；于所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅极结构和所述区域；于所述层间介质层内形成栅极连接件和高阻连接件，所述栅极连接件贯穿所述层间介质层并连接所述栅极结构，所述高阻连接件贯穿所述层间介质层并连接所述高阻结构。
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