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龙图腾网恭喜山西创芯光电科技有限公司申请的专利一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119588675B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510138010.X，技术领域涉及：B08B3/02；该发明授权一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法是由王慧云;张培峰;王书浩;李水利;张竟;苏莹设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法，属于红外探测器制备技术领域；解决了传统清洗工艺存在残留物导致盲元增加的问题；包括以下步骤：在红外探测器芯片抛光后未取片时通过水雾冲洗红外探测器芯片抛光后的表面；在取片后，将红外探测器芯片放置在清洗工装中，通过洗涤剂结合DI水对红外探测器芯片进行擦洗；通过DI水冲洗红外探测器芯片表面；使用碱性清洗剂擦洗红外探测器芯片表面；采用DI水冲洗红外探测器芯片表面；采用有机溶剂与兆声清洗相结合的方式清洗红外探测器芯片表面；本发明应用于Ⅱ类超晶格红外探测器抛光后表面清洗。

本发明授权一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种提升大面阵红外探测器抛光后表面洁净度的清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1：针对1～3μm的颗粒污染物，在红外探测器芯片抛光后未取片时通过水雾冲洗红外探测器芯片抛光后的表面；步骤S2：针对0.2~1μm的颗污染物，在取片后，将红外探测器芯片放置在清洗工装中，通过洗涤剂结合DI水对红外探测器芯片进行擦洗，后续清洗步骤S3-S5均在清洗工装上进行清洗；步骤S3：通过DI水冲洗红外探测器芯片表面；步骤S4：针对颗粒0.1~0.2μm的污染物，使用碱性清洗剂擦洗红外探测器芯片表面；步骤S4中碱性清洗剂为：（浓度＜5%的氢氧化钠溶液，浓度＜5%的碳酸钠溶液，浓度＜5%的次氯酸钠溶液，浓度＜5%的谷氨酸二乙酸四钠溶液）：DI水=5ml：100ml的配比溶液；骤S4中先使用滴管吸取少量配比溶液，冲洗红外探测器芯片表面2-3次，后佩戴新的无尘洁净指套，蘸取已配比好的溶液，朝着红外探测器芯片的一个方向缓慢擦拭抛光后表面，擦拭2-3遍；步骤S5：采用DI水冲洗红外探测器芯片表面；步骤S6：针对0.1μm的颗粒污染物，采用有机溶剂与兆声清洗相结合的方式清洗红外探测器芯片表面；步骤S6清洗之前先将红外探测器芯片从清洗工装上取下，然后将红外探测器芯片依次经过丙酮兆声清洗、乙醇兆声清洗和异丙醇兆声清洗，最后采用N2吹干。

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