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龙图腾网恭喜成都工业学院申请的专利多孔碳化硅-碳化硼陶瓷基复合材料的致密化生产工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119528602B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510100220.X，技术领域涉及：C04B38/00；该发明授权多孔碳化硅-碳化硼陶瓷基复合材料的致密化生产工艺是由李旭勤;刘江妤;宋青芸;黄瑞材;张骄阳;郝芹;王小华;张凤春设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本多孔碳化硅-碳化硼陶瓷基复合材料的致密化生产工艺在说明书摘要公布了：本申请涉及陶瓷材料生产技术领域，具体涉及多孔碳化硅‑碳化硼陶瓷基复合材料的致密化生产工艺，该工艺包括：将碳纤维编织成二维碳布，叠层平铺并固定，得到碳预制体；在碳预制体上沉积热解碳界面层，热处理后继续沉积，得到多孔CSiC预制体；将羧甲基纤维素钠溶解后水浴加热，冷却后加入碳化硼粉搅拌均匀后进行湿球磨，得到碳化硼浆料；采用碳化硼浆料对多孔CSiC预制体重复进行真空渗透和压力渗透，得到CSiC‑B4C预制体；对CSiC‑B4C预制体进行液硅渗透，在冷却过程中调整气体循环系统的降温速率，得到多孔碳化硅陶瓷材料。本申请旨在提高多孔碳化硅陶瓷材料的致密度。

本发明授权多孔碳化硅-碳化硼陶瓷基复合材料的致密化生产工艺在权利要求书中公布了：1.多孔碳化硅-碳化硼陶瓷基复合材料的致密化生产工艺，其特征在于，该工艺包括：对CSiC-B4C预制体进行液硅渗透，预制体包括碳纤维，在冷却过程中调整降温速率，得到多孔碳化硅-碳化硼陶瓷基复合材料；其中，在冷却过程中调整降温速率的过程具体为：步骤01：获取每个预设温度测量点上各时刻的温度数据，根据每个温度测量点的位置，对每个温度测量点的行标记值、列标记值进行预设；步骤02：将每个温度测量点各时刻预设时间段的温度数据组成的序列记为温度序列，获取温度序列的温度拟合直线，获取温度拟合直线斜率与预设斜率之间的差异，记为第一差异B；将温度序列中各时刻温度数据与其温度拟合直线上的拟合值之间的差异，记为偏差值；获取各时刻温度序列的元素个数，计算所述元素个数与温度序列中各元素的序号值的差异，记为第二差异；获取温度序列每个元素所述偏差值与所述第二差异的比值，将温度序列中所有所述比值进行融合，基于融合结果A以及第一差异B，得到每个温度测量点各时刻的降温速率稳定度，所述降温速率稳定度的公式形式为：；步骤03：将任意两个温度测量点之间的列标记值差异、行标记值差异，分别记为第三差异、第四差异；获取所有温度测量点的最大列标记值与所述第四差异的差异，记为第五差异；获取所述第四差异与所述第五差异的最小值，并与所述第三差异进行融合，得到所述任意两个温度测量点的相对距离；针对各时刻，对于两个温度测量点，温度数值差异采用温度值的差值平方值进行衡量，记为C，将温度测量点之间的相对距离记为D，将降温速率稳定度的均值记为E，计算分布差异，所述分布差异的公式形式为；将所有两两组合的温度测量点的分布差异的均值作为各时刻的温度分布均匀度；步骤04：获取碳纤维和SiC-SiBC基体的热膨胀曲线；计算各时刻所有温度测量点的温度数据均值与各时刻室温的差值，记为第六差异G；获取各时刻所述温度数据均值在碳纤维和SiC-SiBC基体的热膨胀曲线上对应的热膨胀值之间的差值绝对值，记为第七差异H；将温度分布均匀度记为F，计算降温速率调整系数，所述降温速率调整系数的公式形式为；计算各时刻的多孔碳化硅陶瓷材料的降温速率，计算式为：；其中，、分别表示碳化硅陶瓷材料的预设最小降温速率、预设最大降温速率；c表示各时刻的降温速率调整系数；表示各时刻的降温速率。

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