恭喜长江存储科技有限责任公司郭申获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551456B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210087469.8，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器系统是由郭申;张志雄;桑瑞;李刚;张成;谢海波设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器系统，该制作方法包括：在衬底上形成介质层和多个间隔设置的第一浅隔离槽，衬底包括第一区域和第二区域，介质层填充第一浅隔离槽，第一浅隔离槽位于第一区域中，相邻两个第一浅隔离槽之间的衬底形成鳍部；形成第一开口和至少两个第二开口，第一开口暴露出鳍部的顶端，第二开口贯穿第二区域上的介质层；形成第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构包裹顶端，第二栅极结构位于相邻两个第二开口之间的介质层上；通过第二开口，在第二区域中形成源极和漏极，从而能简化半导体器件的制作工艺，降低工艺成本。
本发明授权半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述衬底上形成介质层和多个间隔设置的第一浅隔离槽，所述介质层填充所述第一浅隔离槽，所述第一浅隔离槽位于所述第一区域中，相邻两个所述第一浅隔离槽之间的所述衬底形成鳍部；在同一工艺步骤中在所述介质层中形成第一开口和至少两个第二开口，所述第一开口延伸至所述第一浅隔离槽内，且暴露出所述鳍部的顶端，所述第二开口位于所述第二区域上且贯穿所述介质层；形成第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构包裹所述顶端，所述第二栅极结构位于相邻两个所述第二开口之间的所述介质层上；通过所述第二开口，在所述第二区域中形成源极和漏极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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