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龙图腾网恭喜瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112117281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010493458.0，技术领域涉及：H10B43/10；该发明授权半导体器件是由川嶋祥之设计研发完成，并于2020-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及半导体器件。沿Y方向排列的鳍、控制栅极电极和存储器栅极电极，该控制栅极电极和存储器栅极电极中的每一个被形成为沿Y方向延伸以跨过鳍、多个第一插头，与在每个鳍中形成的漏极区域电连接，以及多个第二插头，与在每个鳍中形成的源极区域电连接。这里，沿Y方向排列的多个第一插头中的第N个插头与沿Y方向的第2N‑1个和第2N个鳍中的每一个耦合。此外，沿Y方向排列的多个第二插头中的第N个插头与沿Y方向的第2N和第2N+1个鳍中的每一个耦合。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；多个第一突出部分，每个第一突出部分从所述半导体衬底的上表面突出，并且每个第一突出部分沿所述半导体衬底的所述上表面在第一方向上延伸，所述多个第一突出部分中的每个第一突出部分是所述半导体衬底的一部分；第一栅极电极，经由第一绝缘膜被形成在所述多个第一突出部分中的每个突出部分的上表面和所述多个第一突出部分中的每个突出部分的侧表面上，并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；第二栅极电极，经由作为电荷存储部分的第二绝缘膜被形成在所述多个第一突出部分中的每个第一突出部分的所述上表面和所述多个第一突出部分中的每个第一突出部分的所述侧表面上，并且所述第二栅极电极在所述第二方向上延伸，所述第二栅极电极经由绝缘膜与所述第一栅极电极的侧表面中的一个侧表面邻近；第一半导体区域，以在平面图中与所述第一栅极电极相邻布置的形式，被形成在所述多个第一突出部分中的每个第一突出部分中；第二半导体区域，以在平面图中与所述第二栅极电极相邻布置的形式，被形成在所述多个第一突出部分中的每个第一突出部分中；多个第一插头，分别被形成在所述多个第一突出部分上，并且沿所述第二方向排列；和多个第二插头，分别被形成在所述多个第一突出部分上，并且沿所述第二方向排列，其中所述第一栅极电极、所述第二栅极电极、所述第一半导体区域和所述第二半导体区域组成非易失性存储元件，其中沿所述第二方向排列的所述多个第一插头的第N个插头，与在沿所述第二方向排列的所述多个第一突出部分的第2N-1个突出部分，以及所述多个第一突出部分的第2N个突出部分中的每个突出部分中形成的所述第一半导体区域电连接，并且其中沿所述第二方向排列的所述多个第二插头的第N个插头，与在沿所述第二方向排列的所述多个第一突出部分的第2N个突出部分，以及所述多个第一突出部分的第2N+1个突出部分中的每个突出部分中形成的所述第二半导体区域电连接。

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