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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利光学模型的优化方法以及光学邻近修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113050364B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911380331.1，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光学模型的优化方法以及光学邻近修正方法是由陈蓓;陈权设计研发完成，并于2019-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本光学模型的优化方法以及光学邻近修正方法在说明书摘要公布了：一种光学模型的优化方法以及光学邻近修正方法，光学模型的优化方法包括：提供光掩膜基板和初始光学模型；确定光掩膜基板中的缺陷的位置和尺寸；获取任一缺陷位置处和正常位置处的光强比，用于作为光强修正因子，光强修正因子与所对应的缺陷的位置和尺寸相关；将光强修正因子添加至初始光学模型中，获得光学模型。本发明的光强修正因子能够表征由缺陷的存在所引起的实际光强的变化，从而使得光学模型的精度更高，光学模型用于建立光学邻近修正模型，因此，能够根据实际光强建立较佳的光学邻近修正模型，以弥补光掩膜基板的缺陷所带来的影响，进而提高光学邻近修正的精准度。

本发明授权光学模型的优化方法以及光学邻近修正方法在权利要求书中公布了：1.一种光学模型的优化方法，其特征在于，包括：提供光掩膜基板和初始光学模型，所述光掩膜基板为光学透明衬底，所述光掩膜基板用于形成反射式掩膜版，所述光掩膜基板具有三维空间坐标系，所述三维空间坐标系包括与所述光掩膜基板的表面相垂直的Z轴；确定所述光掩膜基板中的缺陷的位置和尺寸，所述缺陷的类型为相位型缺陷；获取光强干扰项，所述光强干扰项与任一所述缺陷位置处的光波以及正常位置处的光波在所述Z轴的聚焦平面的差值相关，所述缺陷位置处的光波在所述Z轴的聚焦平面与所对应的所述缺陷的位置和尺寸相关；通过所述光强干扰项获取任一所述缺陷位置处和正常位置处的光强比，用于作为光强修正因子，所述光强修正因子与所对应的所述缺陷的位置和尺寸相关；将所述光强修正因子添加至所述初始光学模型中，获得光学模型。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。