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龙图腾网恭喜恩智浦美国有限公司申请的专利高速逻辑中动态切换电流的降低获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111130517B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911051585.9，技术领域涉及：H03K17/081；该发明授权高速逻辑中动态切换电流的降低是由伊曼纽尔·楚库马·奥妮玛;大卫·拉塞尔·蒂普尔设计研发完成，并于2019-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本高速逻辑中动态切换电流的降低在说明书摘要公布了：公开了一种用于降低高速逻辑中的动态切换电流的方法和设备。所述设备可以包括CMOS逻辑电路，所述CMOS逻辑电路进而包括NMOSFinFET、第一PMOSFinFET以及第二PMOSFinFET。所述NMOSFinFET的栅极连接到所述第一PMOSFinFET的栅极，所述NMOSFinFET的漏极连接到所述第一PMOSFinFET的漏极，并且所述第二PMOSFinFET连接到所述第一PMOSFinFET以在所述第一PMOSFinFET的源极与所述漏极之间创建电容器。在一个实施例中，所述第二PMOSFinFET包含在单元中并且定位在所述单元的边缘处，所述单元还包含所述第一PMOSFinFET和所述NMOSFinFET。

本发明授权高速逻辑中动态切换电流的降低在权利要求书中公布了：1.一种在衬底上制造CMOS逻辑电路的方法，其特征在于，所述方法包括：在所述衬底上制造鳍式场效应晶体管FinFET，其中制造FinFET包括制造NMOSFinFET、第一PMOSFinFET以及第二PMOSFinFET；其中所述NMOSFinFET的栅极连接到所述第一PMOSFinFET的栅极；其中所述NMOSFinFET的漏极连接到所述第一PMOSFinFET的漏极；其中所述第二PMOSFinFET的栅极连接到所述第一PMOSFinFET的源极并进一步连接到电源电压，第二PMOSFinFET的栅极与第一PMOSFinFET的漏极之间电隔离，以在所述第一PMOSFinFET的源极与所述第一PMOSFinFET的漏极之间创建电容器；所述电容器包括第一端和第二端，所述电容器的第一端包括所述第二PMOSFinFET的栅极，所述电容器的第二端包括所述第一PMOSFinFET的漏极。

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