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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利溅射方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110344013B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910763676.9，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权溅射方法是由邓斌;白志民;李强;耿宏伟;孙颖;韩立仁设计研发完成，并于2019-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本溅射方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种溅射方法，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体；S3，将输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；S5，判断薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回步骤S2；S6，关闭溅射电源，及停止向反应腔室中通入工艺气体；其中，先进行步骤S4，后进行步骤S5；或者，先进行步骤S5，后进行步骤S4。本发明提供的溅射方法，可以避免产生微小打火现象，避免产生颗粒污染，从而可以保证薄膜性能，提高器件电性能和良率。

本发明授权溅射方法在权利要求书中公布了：1.一种溅射方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，向反应腔室中通入工艺气体；S2，开启溅射电源，且将加载至靶材的所述溅射电源的输出功率调节至第一溅射功率值，以启辉形成等离子体，并在基片上形成缓冲层；所述步骤S2包括以下子步骤：S21，开启所述溅射电源，且将所述输出功率调节至第三溅射功率值；所述第三溅射功率值小于所述第一溅射功率值；S22，待预设时间后，将所述输出功率由所述第三溅射功率提高至所述第一溅射功率值；S3，将所述输出功率按第一预设规则提高至第二溅射功率值，以在基片上沉积薄膜；所述第一预设规则包括：直接将所述输出功率由所述第一溅射功率值调节至所述第二溅射功率值；或者，所述第一预设规则包括：将所述输出功率由所述第一溅射功率值提高至第四溅射功率值；所述第四溅射功率值小于所述第二溅射功率值；待预设时间后，将所述输出功率由所述第四溅射功率值提高至所述第二溅射功率值；S4，将输出功率按第二预设规则逐渐降低至零；在所述步骤S4中，所述第二预设规则包括：每间隔指定时间进行一次功率降低过程，直至所述输出功率为零；所述功率降低过程包括：将当前的所述输出功率降低预设调整量；所述第四溅射功率值的取值范围满足下述公式：M＝N-n2-N+n2；其中，M为所述第四溅射功率值；N为所述第二溅射功率值；n为所述第一溅射功率值；S5，判断所述薄膜的厚度是否达到目标厚度，若是，则进行步骤S6；若否，则返回所述步骤S2；S6，关闭所述溅射电源，及停止向所述反应腔室中通入所述工艺气体；其中，先进行所述步骤S4，后进行所述步骤S5；或者，先进行所述步骤S5，后进行所述步骤S4。

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