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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法、封装件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111244054B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811434025.7，技术领域涉及：H01L23/482；该发明授权半导体器件及其制备方法、封装件及其制备方法是由吴秉桓;汪美里设计研发完成，并于2018-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法、封装件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明半导体技术领域，提出一种半导体器件，该半导体器件包括堆叠结构以及电极；堆叠结构至少包含一个芯片；电极位于堆叠结构的侧表面，电极在芯片厚度方向的长度大于或等于芯片的厚度。该半导体器件避免采用微凸起连接，使堆叠结构的厚度减薄，有利于实现薄型化。电极设于堆叠结构的侧表面，不必在布线层设置连接处，设计电路时不必考虑预留连接位置，不会造成芯片上电路布局设置的限制。电极在芯片厚度方向的长度大于或等于芯片的厚度，便于连接多个芯片上的电路。

本发明授权半导体器件及其制备方法、封装件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括多个芯片，所述芯片包括电路区和密封区，在所述电路区具有第一硅穿孔，在所述密封区具有第二硅穿孔；所述芯片包括第一芯片和第二芯片，第一子芯片、第二子芯片以及第三子芯片形成所述第二芯片，在每层所述芯片上均设置有布线层，所述第一芯片上的布线层为第一布线层，所述第一子芯片上的布线层为第二布线层，所述第二子芯片上的布线层为第三布线层，所述第三子芯片上的布线层为第四布线层；所述第一硅穿孔连接所述第一布线层、所述第二布线层、所述第三布线层以及所述第四布线层；电极，位于所述堆叠结构的侧表面，去除部分所述密封区以及部分所述第二硅穿孔直至所述第二硅穿孔的直径处，暴露出的所述第二硅穿孔形成所述电极；所述电极包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极以及第五电极，所述第一电极通过所述第一布线层电连接至第一信号端，所述第二电极通过所述第二布线层电连接至第二信号端，所述第一布线层的第三信号端、所述第二布线层的第三信号端、所述第三布线层的第三信号端以及所述第四布线层的第三信号端通过所述第一硅穿孔电连接，然后连接至所述第三电极，所述第四电极通过所述第四布线层电连接至第四信号端，所述第五电极通过所述第三布线层电连接至第五信号端。

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