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龙图腾网恭喜安靠科技新加坡控股私人有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN108630658B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201710508310.8，技术领域涉及：H01L23/535；该发明授权半导体装置及其制造方法是由韩意书;李泰勇;柳智妍设计研发完成，并于2017-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，包括：第一信号分布结构，具有信号分布结构顶侧、信号分布结构底侧和多个信号分布结构横向侧，其中所述第一信号分布结构包括第一介电层和第一导电层；第一电子组件，耦合到所述信号分布结构顶侧；第一囊封材料，覆盖所述信号分布结构顶侧的至少一部分和所述第一电子组件的至少一部分；半导体晶粒，耦合到所述信号分布结构底侧并且位于所述第一电子组件正下方；多个导电柱，耦合到所述信号分布结构底侧并且在所述半导体晶粒周围横向地定位；以及第二囊封材料，覆盖所述信号分布结构底侧的至少一部分、所述半导体晶粒的至少一部分以及所述导电柱的至少一部分。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一信号分布结构，具有信号分布结构顶侧、信号分布结构底侧和多个信号分布结构横向侧，其中所述第一信号分布结构包括位于所述信号分布结构顶侧处的第一介电层、位于所述信号分布结构底侧处的第二介电层和位于所述第一介电层和所述第二介电层之间的第一导电层；无源电子组件，其中所述无源电子组件是电容器电子组件，所述电容器电子组件的组件端子通过所述信号分布结构顶侧耦合到所述第一导电层；第一囊封材料，覆盖所述信号分布结构顶侧的至少一部分和所述电容器电子组件的至少一部分；半导体晶粒，耦合到所述信号分布结构底侧并且位于所述电容器电子组件正下方；多个导电柱，通过所述信号分布结构底侧耦合到所述第一导电层并且在所述半导体晶粒周围横向地定位；以及第二囊封材料，覆盖所述信号分布结构底侧的至少一部分、所述半导体晶粒的至少一部分以及所述导电柱的至少一部分。

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