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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利门极换流晶闸管和半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222916503U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520622083.1，技术领域涉及：H10D18/65；该实用新型门极换流晶闸管和半导体器件是由李玲;刘瑞;王耀华;唐新灵;高明超;焦倩倩;吴沛飞;魏晓光设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本门极换流晶闸管和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了门极换流晶闸管和半导体器件，门极换流晶闸管包括：第一基区；第二基区，位于第一基区的表面上，第二基区的掺杂类型与第一基区的掺杂类型不同；第三基区，位于第二基区的远离第一基区的表面上，第三基区的掺杂类型与第二基区的掺杂类型相同；第一发射区，位于第三基区的远离第一基区的一侧，第一发射区的掺杂类型与第一基区的掺杂类型相同；至少两个掺杂区，掺杂区至少位于第三基区中和第二基区中，掺杂区与第一发射区不接触，掺杂区的掺杂类型与第二基区相同，掺杂区的掺杂浓度大于第二基区的掺杂浓度，掺杂区的掺杂浓度大于第三基区的掺杂浓度。本申请解决了现有GCT芯片中门极换流晶闸管的关断能力较差的问题。

本实用新型门极换流晶闸管和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种门极换流晶闸管，其特征在于，包括：第一基区；第二基区，位于所述第一基区的表面上，所述第二基区的掺杂类型与所述第一基区的掺杂类型不同；第三基区，位于所述第二基区的远离所述第一基区的表面上，所述第三基区的掺杂类型与所述第二基区的掺杂类型相同，所述第三基区的掺杂浓度大于所述第二基区的掺杂浓度；第一发射区，位于所述第三基区的远离所述第一基区的一侧，所述第一发射区的掺杂类型与所述第一基区的掺杂类型相同；至少两个掺杂区，所述掺杂区至少位于所述第三基区中和所述第二基区中，所述掺杂区与所述第一发射区不接触，所述掺杂区的掺杂类型与所述第二基区相同，所述掺杂区的掺杂浓度大于所述第二基区的掺杂浓度，所述掺杂区的掺杂浓度大于所述第三基区的掺杂浓度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号院5号楼319室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。