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龙图腾网恭喜无锡市晶源微电子股份有限公司申请的专利高压静电防护结构及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855245B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510331822.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权高压静电防护结构及电子设备是由邓晓军设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本高压静电防护结构及电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制作技术领域，具体公开了一种高压静电防护结构及电子设备，包括：N型MOS管和与所述N型MOS管连接的P型三极管单元，N型MOS管的隔离端和漏极端均用于连接高压引脚，N型MOS管的栅极端、源极端以及衬底端短接后连接P型三极管单元的一端，P型三极管单元的另一端连接地线引脚；P型三极管单元包括至少一个横向P型三极管，多个横向P型三极管之间串联连接，每个横向P型三极管的基极与发射极均短接。本发明提供的高压静电防护结构能够使得ESD器件既提供有效的保护，同时在电路正常工作时又不会对电路产生影响。

本发明授权高压静电防护结构及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种高压静电防护结构，其特征在于，包括：N型MOS管和与所述N型MOS管连接的P型三极管单元，所述N型MOS管为低压隔离结构，所述N型MOS管的隔离端和漏极端均用于连接高压引脚，所述N型MOS管的栅极端、源极端以及衬底端短接后连接所述P型三极管单元的一端，所述P型三极管单元的另一端连接地线引脚；所述P型三极管单元包括至少一个横向P型三极管，多个所述横向P型三极管之间串联连接，每个所述横向P型三极管的基极与发射极均短接，其中第一个所述横向P型三极管的基极与发射极短接后形成为所述P型三极管单元的一端，最后一个所述横向P型三极管的集电极形成为所述P型三极管单元的另一端；当所述高压引脚引入静电放电电压时，所述静电放电电压的能量能够依次击穿所述N型MOS管的漏极端和源极端到达所述P型三极管单元的一端，并依次击穿所述P型三极管单元内的每个横向P型三极管的发射极和集电极到达所述地线引脚以完成正向静电放电电压的能量泄放；当所述地线引脚引入静电放电电压时，所述静电放电电压的能量能够依次通过所述P型三极管单元内的每个横向P型三极管的集电极以及基极与发射极的短接端到达所述P型三极管单元的一端，并通过所述N型MOS管的衬底端与漏极端之间以及衬底端与隔离端之间所形成的两个并联的PN结后到达所述高压引脚以完成负向静电电压的能量泄放。

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