武汉钧恒科技有限公司方文银获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉钧恒科技有限公司申请的专利一种兼容400G DR4和800G DR8的硅光芯片及光引擎获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222913930U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422106644.0，技术领域涉及：G02B6/42；该实用新型一种兼容400G DR4和800G DR8的硅光芯片及光引擎是由方文银;彭开盛;严雄武设计研发完成，并于2024-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种兼容400G DR4和800G DR8的硅光芯片及光引擎在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种兼容400GDR4和800GDR8的硅光芯片，芯片主体的一个侧边上具有两个入光波导以及八个出光波导，八个出光波导处在两个入光波导之间，且八个出光波导以每四个为一组分两组相间分布，芯片主体位于两组出光波导之间的区域为预留空白区，预留空白区具有让芯片主体一分为二的切割区域，位于预留空白区同一侧的入光波导的光路均分为四路后与四个出光波导相耦合。一种光引擎，包括兼容400GDR4和800GDR8的硅光芯片。有益效果为：可以兼容400GDR4和800GDR8，达到节约费用的目的，同时该硅光芯片应用于400GDR4光引擎时，测试一次即可，节约测试时间。
本实用新型一种兼容400G DR4和800G DR8的硅光芯片及光引擎在权利要求书中公布了：1.一种兼容400GDR4和800GDR8的硅光芯片，其特征在于，包括：芯片主体1，所述芯片主体1的一个侧边上具有两个入光波导2以及八个出光波导3，八个出光波导3处在两个入光波导2之间，且八个出光波导3以每四个为一组分两组相间分布，所述芯片主体1位于两组出光波导3之间的区域为预留空白区110，所述预留空白区110具有让芯片主体1一分为二的切割区域120，位于预留空白区110同一侧的入光波导2的光路均分为四路后与四个出光波导3相耦合。
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