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龙图腾网获悉青岛赛尔科技有限公司申请的专利一种半导体处理用退火炉装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411181873.7，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种半导体处理用退火炉装置是由刘明利;王龙峰;于洋;胡思健设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体处理用退火炉装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体处理用退火炉装置，涉及退火炉装置技术领域，包括炉体，所述炉体上设置有通风组件，所述通风组件包括进气槽、进气通道、第一喷气槽、第二喷气槽和抽吸槽，所述第二喷气槽设置为多个，所述进气槽开设在炉体的外壁上，且进气槽用于输送冷却气体，所述进气通道开设在炉体的壁体内部，所述进气通道呈圆弧状，且与进气槽连通，所述进气通道的宽度朝远离进气槽的方向逐渐变大，所述第一喷气槽开设在炉体的内壁上。该半导体处理用退火炉装置，通过在炉体上设置通风组件，包括第一喷气槽、第二喷气槽和抽吸槽等结构，确保冷却气体能更快速均匀地带走炉内热量，从而实现半导体材料快速降温的目的。

本发明授权一种半导体处理用退火炉装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体处理用退火炉装置，包括炉体（1），其特征在于：所述炉体（1）上设置有通风组件，所述通风组件包括进气槽（2）、进气通道（3）、第一喷气槽（4）、第二喷气槽（5）和抽吸槽（9），所述第二喷气槽（5）设置为多个，所述进气槽（2）开设在炉体（1）的外壁上，且进气槽（2）用于输送冷却气体，所述进气通道（3）开设在炉体（1）的壁体内部，所述进气通道（3）呈圆弧状，且与进气槽（2）连通，所述进气通道（3）的宽度朝远离进气槽（2）的方向逐渐变大，所述第一喷气槽（4）开设在炉体（1）的内壁上，所述第一喷气槽（4）连通在进气通道（3）的中段，所述抽吸槽（9）开设在炉体（1）的内壁上，所述抽吸槽（9）与第一喷气槽（4）关于炉体（1）的轴心对称分布，所述第二喷气槽（5）开设在炉体（1）的内壁上，所述第二喷气槽（5）倾斜分布，且与进气通道（3）连通，多个第二喷气槽（5）均匀分布在第一喷气槽（4）的两侧，所述第二喷气槽（5）的内径朝远离进气通道（3）的方向逐渐变小，所述炉体（1）上设置有与进气槽（2）、抽吸槽（9）配合的风力组件和连通组件。

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