恭喜北京怀柔实验室李立获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利功率半导体器件芯片、其制备方法、对应器件及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118738108B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410772040.1，技术领域涉及：H10D18/65；该发明授权功率半导体器件芯片、其制备方法、对应器件及电子设备是由李立;魏晓光;王耀华;高明超;纪瑞朗;李玲;苑广安;李宋伟;唐新灵;刘瑞设计研发完成，并于2024-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件芯片、其制备方法、对应器件及电子设备在说明书摘要公布了：一种功率半导体器件芯片、其制备方法、对应器件及电子设备，属于半导体设计和制造技术领域。所述功率半导体器件芯片，包括形成在基区上的门极接触环和呈环状排列的阴极梳条，每一个阴极梳条与对应的基区之间形成有波浪结；其中，与门极接触环距离最远的波浪结，相对于其它区域的波浪结，具有最大的宽度和或结深。本发明通过调整不同阴极环中IGCT元胞的波浪结注入掩膜，优化了远离门极接触环的阴极环中IGCT元胞的波浪结形貌，使IGCT关断时的动态雪崩位置更加远离阴极区，不容易发生阴极重触发失效，增强了器件电流关断能力；本发明的方法工艺简单，仅需修改离子注入掩膜，不增加额外工艺步骤。
本发明授权功率半导体器件芯片、其制备方法、对应器件及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件芯片，其包括形成在基区上的门极接触环和呈环状排列的阴极梳条，每一个阴极梳条与对应的基区之间形成有波浪结，其特征在于，与门极接触环距离最远的波浪结，相对于其它区域的波浪结，具有最大的宽度和或结深；波浪结的宽度和或结深随着距离门极接触环的远近而梯度变化；或者除了与门极接触环距离最远的波浪结，其它区域的波浪结的宽度和或结深是相同的。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京怀柔实验室，其通讯地址为：101400 北京市怀柔区杨雁东一路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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