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龙图腾网恭喜英特尔公司申请的专利具有成分和尺寸截然不同的沟道区和亚沟道区的晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111052348B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780094332.2，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权具有成分和尺寸截然不同的沟道区和亚沟道区的晶体管是由K·贾姆布纳坦;G·A·格拉斯;A·S·默西;J·S·康;B·E·贝蒂;A·波旺德;B·古哈;J·H·南;T·加尼设计研发完成，并于2017-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有成分和尺寸截然不同的沟道区和亚沟道区的晶体管在说明书摘要公布了：集成电路包括具有上部沟道区和下部亚沟道区的鳍，下部区域具有第一化学成分以及与绝缘体材料相邻的相对侧壁，上部区域具有第二化学成分。第一宽度指示在第一位置上的下部区域的相对侧壁之间的距离，其比指示在第二位置上的上部区域的相对侧壁之间的距离的第二宽度宽至少1nm，第一位置在第二位置的10nm以内或者以其他方式相互靠近。第一化学成分与第二化学成分截然不同，并且包括位于下部区域的相对侧壁的外表面处的表面化学成分以及位于其间的体块化学成分，所述表面化学成分包括氧、氮、碳、氯、氟和硫中的一者或多者。

本发明授权具有成分和尺寸截然不同的沟道区和亚沟道区的晶体管在权利要求书中公布了：1.一种包括至少一个晶体管的集成电路IC，所述集成电路包括：包括栅电极和栅极电介质的栅极结构，所述栅电极包括金属材料；以及邻近所述栅电极的鳍，所述栅极电介质位于所述栅电极和所述鳍之间，所述鳍具有包括锗的上部区域以及包括锗的下部区域，所述下部区域具有与绝缘体材料构成的区域相邻并接触的相对侧壁以及位于所述下部区域相对侧壁之间的体块区域，并且所述上部区域具有与所述栅极电介质直接相邻并接触的相对侧壁，下部区域相对侧壁每者具有第一化学成分，并且上部区域相对侧壁每者具有不同于所述第一化学成分的第二化学成分，所述第一化学成分从所述下部区域相对侧壁的每者的外表面在其间延伸达0.5到10nm的距离，并且所述第一化学成分包括氧、氮、碳、氯、氟或硫中的一者或多者；其中，在第一位置处所述下部区域相对侧壁之间的第一宽度比在第二位置处所述上部区域相对侧壁之间的第二宽度宽至少1纳米nm，所述第一位置与所述第二位置在垂直方向上相距10nm以内。

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