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恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司陈彦亨获国家专利权

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龙图腾网恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利扇出型天线封装结构及封装方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111106075B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811259793.3,技术领域涉及:H01L23/31;该发明授权扇出型天线封装结构及封装方法是由陈彦亨;林正忠设计研发完成,并于2018-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

扇出型天线封装结构及封装方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种扇出型天线封装结构及封装方法,所述扇出型天线封装方法中,将半导体芯片的正面接合于分离层的上表面;采用封装层包覆半导体芯片的侧面及底面;基于分离层,分离封装层,以显露半导体芯片的正面;重新布线层与半导体芯片电连接;于重新布线层的上表面形成堆叠设置的至少两层天线结构,天线结构与重新布线层电连接;贯穿封装层形成通孔,通孔显漏重新布线层中的金属布线层;通过通孔,形成与金属布线层电连接的金属凸块。可降低生产成本,形成堆叠设置的具有多层天线结构及高整合性的扇出型天线封装结构;通过位于重新布线层两侧的天线结构及半导体芯片,提高扇出型天线封装结构性能。

本发明授权扇出型天线封装结构及封装方法在权利要求书中公布了:1.一种扇出型天线封装方法,其特征在于,包括以下步骤:提供支撑基底,于所述支撑基底上形成分离层;提供半导体芯片,将所述半导体芯片的正面接合于所述分离层的上表面;采用封装层包覆所述半导体芯片的侧面及底面,所述封装层包括与所述分离层相接触的第一面及相对的第二面;基于所述分离层,分离所述封装层,以显露所述半导体芯片的正面;于所述封装层的第一面上形成重新布线层,且所述重新布线层与所述半导体芯片电连接;于所述重新布线层的上表面形成堆叠设置的至少两层天线结构,所述天线结构与所述重新布线层电连接;贯穿所述封装层形成通孔,所述通孔显漏所述重新布线层中的金属布线层;通过所述通孔,形成与所述金属布线层电连接的金属凸块。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人盛合晶微半导体(江阴)有限公司,其通讯地址为:214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号(经营场所江阴市东盛西路9号);或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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