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龙图腾网恭喜华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利SOI LDMOS器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084267B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210514663.X，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权SOI LDMOS器件及其制造方法是由陈天;张红林;肖莉;王黎;陈华伦设计研发完成，并于2022-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本SOI LDMOS器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SOILDMOS器件形成于混合衬底上。包括SOI区和非隔离区，非隔离区为没有介质埋层的半导体衬底。栅极结构、沟道区和源区形成于半导体衬底中，漏区形成于SOI衬底的半导体顶层中。栅极结构采用穿过沟道区的沟槽栅。源区形成于沟道区的表面并和沟槽栅自对准。漂移区形成于沟道区到漏区之间，由形成于半导体顶层中第一漂移子区和形成于半导体衬底中的第二漂移子区组成，第二漂移子区的结深大于述第一漂移子区的结深，使导通电流路径扩展并从而降低导通电阻。本发明还公开了一种SOILDMOS器件的制造方法。本发明能使导通电流路径得到扩展，从而能降低导通电阻；还能提升电流密度并进一步降低导通电阻。

本发明授权SOI LDMOS器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SOILDMOS器件，其特征在于：SOILDMOS器件形成于混合衬底上；所述混合衬底包括SOI区和非隔离区，所述SOI区中具有SOI衬底，所述SOI衬底由半导体主体层，介质埋层和半导体顶层叠加而成，所述介质埋层形成于所述半导体主体层表面，所述半导体顶层形成于所述介质埋层表面；所述非隔离区具有由所述半导体主体层和半导体外延层直接叠加形成半导体衬底，所述非隔离区中的所述半导体顶层和所述介质埋层被去除以及所述半导体外延层和所述半导体主体层直接接触；所述SOILDMOS器件的栅极结构、沟道区和源区形成于所述半导体衬底中，漏区形成于所述半导体顶层中，所述源区和所述漏区都具有第一导电类型重掺杂；所述沟道区由第二导电类型掺杂的阱区组成；所述栅极结构采用沟槽栅，所述沟槽栅穿过所述沟道区；所述源区形成于所述沟道区的表面并和所述沟槽栅自对准；漂移区形成于所述沟道区到所述漏区之间，所述漂移区由第一漂移子区和第二漂移子区组成，所述第一漂移子区由形成于所述半导体顶层中的第一导电类型掺杂区组成；所述第二漂移子区由形成于所述半导体衬底中的第一导电类型掺杂区组成，所述第二漂移子区的结深大于所述第一漂移子区的结深，使导通电流路径扩展并从而降低导通电阻。

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