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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利应用于三轴磁传感器的金属层刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824064B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210420604.6，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权应用于三轴磁传感器的金属层刻蚀方法是由张振兴设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本应用于三轴磁传感器的金属层刻蚀方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种应用于三轴磁传感器的金属层刻蚀方法，包括：提供一衬底，该衬底包括三维区域和二维区域，三维区域形成有具有三维形貌的磁传感器，三维区域和二维区域上形成有金属层，金属层从下而上依次包括第一金属层、第二金属层和第三金属层；在第三金属层上覆盖光阻，使目标区域的第三金属层暴露；进行第一刻蚀，刻蚀至第二金属层中的目标深度，形成第一沟槽，在进行第一刻蚀的过程中，通过提高钝化气体的流量比例使第一沟槽呈现为开口宽度大于底端宽度的形貌；进行第二刻蚀，刻蚀停止至第一金属层的表面，形成第二沟槽，在进行第二刻蚀的过程中，通过提高钝化气体的流量比例使第二沟槽呈现为开口宽度大于底端宽度的形貌。

本发明授权应用于三轴磁传感器的金属层刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于三轴磁传感器的金属层刻蚀方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括三维区域和二维区域，所述三维区域形成有具有三维形貌的磁传感器，所述三维区域和所述二维区域上形成有金属层，所述衬底包括氮化硅层，所述金属层从下而上依次包括第一金属层、第二金属层和第三金属层；在所述第三金属层上覆盖光阻，使目标区域的第三金属层暴露；进行第一刻蚀，刻蚀至所述第二金属层中的目标深度，形成第一沟槽，在进行所述第一刻蚀的过程中，通过提高钝化气体的流量比例使所述第一沟槽呈现为开口宽度大于底端宽度的形貌；进行第二刻蚀，刻蚀停止至所述第一金属层的表面，形成第二沟槽，在进行所述第二刻蚀的过程中，通过提高钝化气体的流量比例使所述第二沟槽呈现为开口宽度大于底端宽度的形貌；其中，所述钝化气体包括三氟甲烷、二氟甲烷、八氟环丁烷、氟甲烷以及氮气中的至少一种，所述钝化气体和刻蚀气体的流量比例为2:1至3:1。

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