恭喜长江存储科技有限责任公司张翔宇获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构的漏电定位方法及漏电定位系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114690014B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210291080.5，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权半导体结构的漏电定位方法及漏电定位系统是由张翔宇;卢勤;侯大姣;张志伟设计研发完成，并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的漏电定位方法及漏电定位系统在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构的漏电定位方法及漏电定位系统。所述半导体结构包括半导体层、金属层以及沿第一方向贯穿所述半导体层的多个接触部，其中，所述接触部包括导电层和绝缘层，所述绝缘层绕所述第一方向包围所述导电层，所述导电层经由所述金属层电连接，其特征在于，所述方法包括：从所述半导体结构中提取包括漏电接触部的初始样品，其中，所述漏电接触部中的导电层与所述半导体层电连接；去除所述初始样品中的金属层，制得检测样品，其中，所述检测样品中的半导体层接地；以及对所述检测样品中的接触部进行检测，并基于检测结果定位所述漏电接触部。
本发明授权半导体结构的漏电定位方法及漏电定位系统在权利要求书中公布了：1.半导体结构的漏电定位方法，所述半导体结构包括半导体层、金属层以及沿第一方向贯穿所述半导体层的多个接触部，其中，所述接触部包括导电层和绝缘层，所述绝缘层绕所述第一方向包围所述导电层，所述导电层经由所述金属层电连接，其特征在于，所述方法包括：从所述半导体结构中提取包括漏电接触部的初始样品，其中，所述漏电接触部中的导电层与所述半导体层电连接；去除所述初始样品中的金属层制得检测样品，其中，所述检测样品中的半导体层接地，所述金属层包括在所述第一方向上分别位于所述半导体层两侧并与所述导电层连接的第一金属层和第二金属层；以及对所述检测样品中的接触部进行检测，并基于检测结果定位所述漏电接触部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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