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龙图腾网恭喜中科南京智能技术研究院申请的专利一种单比特差分SRAM存算一体阵列及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114627930B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210277264.6，技术领域涉及：G11C11/41；该发明授权一种单比特差分SRAM存算一体阵列及装置是由乔树山;史万武;尚德龙;周玉梅设计研发完成，并于2022-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单比特差分SRAM存算一体阵列及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种单比特差分SRAM存算一体阵列及装置，阵列包括：多个存算一体单元、第一电容和第二电容；各存算一体单元均包括：6T‑SRAM存储单元、第一反相器、第二反相器、晶体管TL3和晶体管TR3；第一反相器分别与存储单元和TL3的漏极连接，TL3的栅极用于输入数据IN，TL3的源极与第一电容的一端连接，第一电容的另一端接地；第二反相器分别与存储单元和TR3的漏极连接，TR3的栅极用于输入数据IN，TR3的源极与第二电容的一端连接，第二电容的另一端接地。本发明存算一体阵列在计算过程中对一整列存算一体单元同时计算，对权重值无影响，此解耦合操作完全消除了读写干扰。

本发明授权一种单比特差分SRAM存算一体阵列及装置在权利要求书中公布了：1.一种单比特差分SRAM存算一体阵列，其特征在于，所述阵列包括：M个存算一体单元、第一电容和第二电容，其中，M为大于或等于1的正整数；各所述存算一体单元均包括：6T-SRAM存储单元、第一反相器、第二反相器、晶体管TL3和晶体管TR3；第一反相器的输入端与6T-SRAM存储单元的Q点连接，第一反相器的输出端与晶体管TL3的漏极连接，晶体管TL3的栅极用于输入数据IN，晶体管TL3的源极与第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端接地；第二反相器的输入端与6T-SRAM存储单元的QB点连接，第二反相器的输出端与晶体管TR3的漏极连接，晶体管TR3的栅极用于输入数据IN，晶体管TR3的源极与第二电容的一端连接，所述第二电容的另一端接地；差分的权重值分别存储于Q点和QB点；所述阵列还包括：差分量化器，分别与第一电容的一端和第二电容的一端连接，用于输出电压差。

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