恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司肖和平获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利反极性红光发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824000B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210270336.4，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权反极性红光发光二极管芯片及其制备方法是由肖和平;朱迪;王瑞瑞;吕子如;胡根水设计研发完成，并于2022-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本反极性红光发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种反极性红光发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该反极性红光发光二极管芯片包括依次层叠的衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、欧姆接触层和透明导电层，所述欧姆接触层和透明导电层之间形成欧姆接触，所述欧姆接触层远离所述第二半导体层的表面经过粗化处理，所述透明导电层的厚度不小于所述欧姆接触层的粗化深度。本公开实施例能提升芯片的光提取效果，且降低制作成本。
本发明授权反极性红光发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种反极性红光发光二极管芯片，其特征在于，所述反极性红光发光二极管芯片包括依次层叠的衬底11、第一半导体层21、发光层22、第二半导体层23、欧姆接触层32和透明导电层31，所述欧姆接触层32和透明导电层31之间形成欧姆接触，所述欧姆接触层32远离所述第二半导体层23的表面经过粗化处理，所述透明导电层31的厚度不小于所述欧姆接触层32的粗化深度；所述欧姆接触层32为n型AlGaInP层，所述第二半导体层23包括依次层叠在所述发光层22上的n型AlGaInP电流扩展层231和n型AlGaInP粗化层232，所述n型AlGaInP粗化层232的Al组分含量大于所述n型AlGaInP层的Al组分含量，所述n型AlGaInP粗化层232的Al组分含量大于所述n型AlGaInP电流扩展层231的Al组分含量。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方华灿光电(浙江)有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号