恭喜爱思开海力士有限公司具元泰获国家专利权
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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利包括包含金属-有机框架的层间绝缘结构的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210186198.1，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权包括包含金属-有机框架的层间绝缘结构的半导体装置是由具元泰;韩在贤;李世昊设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括包含金属-有机框架的层间绝缘结构的半导体装置在说明书摘要公布了：本申请涉及包括包含金属‑有机框架的层间绝缘结构的半导体装置。根据本公开的实施方式的半导体装置包括：基板；栅极结构，其设置于基板上方；介电结构，其在基板上方设置为接触栅极结构的侧壁表面；以及沟道层，其在基板上方设置在介电结构的侧壁表面上。栅极结构包括交替层叠的栅电极层和层间绝缘结构。层间绝缘结构包括金属‑有机框架层。
本发明授权包括包含金属-有机框架的层间绝缘结构的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括：基板；栅极结构，所述栅极结构设置于所述基板上方，所述栅极结构包括交替层叠的栅电极层和层间绝缘结构；介电结构，所述介电结构在所述基板上方设置为接触所述栅极结构的侧壁表面；以及沟道层，所述沟道层在所述基板上方设置在所述介电结构的侧壁表面上，其中，所述层间绝缘结构包括金属-有机框架层和内绝缘层，其中，所述金属-有机框架层在垂直方向上接触所述栅电极层的表面，其中，所述内绝缘层与所述栅电极层间隔开，并且在所述垂直方向上填充所述金属-有机框架层之间的整个空间，并且其中，所述内绝缘层包括氧化物、氮化物和氮氧化物中的任一种。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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