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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利嵌入式SONOS存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464537B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210149663.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权嵌入式SONOS存储器及其制备方法是由王宁;张可钢设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本嵌入式SONOS存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种嵌入式SONOS存储器及其制备方法，其中方法包括：在所述选择管多晶硅栅一侧形成连接层；在远离所述连接层的所述选择管多晶硅栅的另一侧形成第二氧化硅层和ONO电荷存储层；接着在远离所述连接层的所述第二氧化硅层的侧面形成存储管多晶硅栅，从而得到背靠背结构的所述选择管多晶硅栅和所述存储管多晶硅栅。本申请通过形成背靠背结构的所述选择管多晶硅栅和所述存储管多晶硅栅，比传统的两管分离的SONOS器件节省芯片设计面积。进一步的，本申请利用所述连接层，可以将所述选择管多晶硅栅的栅极与衬底中其对应的源端共接，后续可以共接至同一选择管字线，从而使得外接电路的设计可以更加简洁。

本发明授权嵌入式SONOS存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式SONOS存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有第一氧化硅层和第一氮化硅层，所述第一氮化硅层中形成有第一沟槽，在所述第一沟槽中形成有覆盖所述第一氮化硅层的侧表面的两个相对的选择管多晶硅栅；刻蚀所述第一沟槽的底壁的所述第一氧化硅层至所述衬底的表面；刻蚀所述第一沟槽底壁的部分厚度的所述衬底以得到第二沟槽，并在所述第二沟槽中形成两个连接层，所述连接层接触所述第二沟槽底壁的所述衬底且分别覆盖一所述选择管多晶硅栅；形成隔离氧化层，所述隔离氧化层填充所述第二沟槽，其中，各所述连接层底部的衬底表面形成有各自对应的源区，其中，通过所述连接层，各所述选择管多晶硅栅与各所述连接层底部的所述源区电性连接；去除所述选择管多晶硅栅侧的所述第一氮化硅层和所述第一氧化硅层；形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层覆盖所述选择管多晶硅栅的侧表面；形成ONO材料层，所述ONO材料层覆盖所述隔离氧化层、所述第二氧化硅层和所述衬底的部分表面；形成第一多晶硅材料层，所述第一多晶硅材料层覆盖所述ONO材料层；刻蚀所述隔离氧化层上方的所述第一多晶硅材料层和所述ONO材料层以及部分所述衬底上的所述第一多晶硅材料层和所述ONO材料层以在所述第二氧化硅层侧得到ONO电荷存储层和存储管多晶硅栅；以及，在远离所述存储管多晶硅栅的所述衬底表面形成堆叠的逻辑氧化层和逻辑多晶硅栅。

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