恭喜北京理工大学重庆微电子研究院焦文龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京理工大学重庆微电子研究院申请的专利压电驱动结构、压电微镜和压电微镜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114583043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210150504.6，技术领域涉及：H10N30/20；该发明授权压电驱动结构、压电微镜和压电微镜制备方法是由焦文龙;严阳阳;杨芋;彭文;谢会开设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本压电驱动结构、压电微镜和压电微镜制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了压电驱动结构、压电微镜和压电微镜制备方法，所述压电驱动结构包括压电层、压电层上方连续的上电极和压电层下方连续的下电极，所述上电极上方一端设置有上介质层，所述下电极下方设置有下介质层，所述上介质层和所述下介质层长度小于所述压电层，在所述压电层所处的水平面上所述上介质层和所述下介质层在水平方向不完全重合。本发明针对无侧向位移和转角的压电Bimorph驱动结构存在的驱动电路复杂，引线繁琐、驱动效率低等问题，提出新的简化结构和制备方案，该方案中Bimorph驱动结构无需设置专门的引线。
本发明授权压电驱动结构、压电微镜和压电微镜制备方法在权利要求书中公布了：1.一种压电驱动结构，其特征在于，所述压电驱动结构包括压电层、压电层上方连续的上电极和压电层下方连续的下电极，所述上电极上方一端设置有上介质层，所述下电极下方设置有下介质层，所述上介质层和所述下介质层长度小于所述压电层，在所述压电层所处的水平面上所述上介质层和所述下介质层在水平方向不完全重合，其中，所述压电层在电场的作用下产生横向的伸缩，所述上介质层靠近所述压电层中点的一端和所述下介质层靠近所述压电层中点的一端存在部分重合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京理工大学重庆微电子研究院，其通讯地址为：400000 重庆市沙坪坝区西永微电园研发楼3期1号楼2单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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