恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司王旭峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利分栅快闪存储单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388628B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210038391.0，技术领域涉及：H10D30/68；该发明授权分栅快闪存储单元及其制备方法是由王旭峰;于涛;李冰寒设计研发完成，并于2022-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本分栅快闪存储单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种分栅快闪存储单元及其制备方法，包括：衬底；沟槽，位于所述衬底内；源区，位于所述沟槽底部的所述衬底内；源线层，位于所述沟槽内以与所述源区电性连接，且将所述沟槽分隔为两个子沟槽；第一分栅结构和第二分栅结构，均包括由下至上排列的浮栅和控制栅，所述第一分栅结构的浮栅和所述第二分栅结构的浮栅分别填充两个所述子沟槽并延伸覆盖所述衬底的部分表面，且所述浮栅的顶部高于所述源线层；擦除栅，位于所述源线层上；本发明利于分栅快闪存储单元的尺寸缩减。
本发明授权分栅快闪存储单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种分栅快闪存储单元，其特征在于，包括：衬底；沟槽，位于所述衬底内；源区，位于所述沟槽底部的所述衬底内；源线层，位于所述沟槽内以与所述源区电性连接，且将所述沟槽分隔为两个子沟槽；第一分栅结构和第二分栅结构，均包括介质层、由下至上排列的浮栅和控制栅，所述第一分栅结构的浮栅和所述第二分栅结构的浮栅分别填充两个所述子沟槽并延伸覆盖所述衬底的部分表面，且所述浮栅的顶部高于所述源线层，所述介质层包裹所述浮栅及所述控制栅的外壁，其中所述介质层包括第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙位于对应的所述控制栅上，所述第二侧墙覆盖对应的所述第一侧墙及所述控制栅靠近擦除栅的一侧；擦除栅，位于所述源线层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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