恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司宗立超获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利用于后照式图像传感器的激光退火方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497098B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210022068.4，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权用于后照式图像传感器的激光退火方法是由宗立超;王星杰;顾培楼设计研发完成，并于2022-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于后照式图像传感器的激光退火方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于后照式图像传感器的激光退火方法，提供衬底，对衬底的背面减薄，再对衬底进行湿洗；在衬底的正面形成第一二氧化硅层；对衬底进行掺杂，在衬底的顶端生成掺杂层；采用高能激光对衬底进行退火，使得第一二氧化硅层转化为硅层。本发明对衬底进行激光退火前淀积有二氧化硅层，减少砷离子注入过程中的隧道效应；在激光退火过程中保护硅，防止衬底局部区域在激光退火产生的高温下熔融；二氧化硅有激光增透的作用，退火效果更好；二氧化硅将与炭反应并在增强的激光退火中转变为纯硅，无需湿法保护前表面。
本发明授权用于后照式图像传感器的激光退火方法在权利要求书中公布了：1.一种用于后照式图像传感器的激光退火方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，之后对所述衬底的背面减薄，再对所述衬底进行湿洗；步骤二、在所述衬底的正面形成第一二氧化硅层；步骤三、对所述衬底进行掺杂，在所述衬底的正面顶端生成掺杂层；步骤四、采用高能激光对所述衬底进行退火，使得所述第一二氧化硅层在高温下与炭发生反应转化为硅层，所述硅层在激光退火过程中用于保护所述衬底，防止所述衬底局部区域在激光退火产生的高温下熔融，以及起到激光增透的作用，增强退火效果。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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